日志
MRAM将变革未来存储技术发展，ARM捷足先登
2019-02-10 12:51
Global Foundries Inc.和英特尔使用嵌入式MRAM作为片上非易失性高速缓存来替代闪存。
相反，Applied，ARM和Spin Memory正在寻求嵌入式MRAM的进一步改进，以允许它在非常接近逻辑电路和逻辑电路内的寄存器、触发器、高速缓存中取代SRAM。随着这种状态的即时保留，这种非易失性可能对微处理器和微控制器的设计方式产生重大影响。与SRAM相比，MRAM已经具有非易失性和密度的优势。 ARM研究员Greg Yeric说MRAM技术可能会实现适当的速度和耐久性权衡，以便将MRAM引入核心逻辑，这可能引发微处理器和微控制器架构的革命。 Spin Memory在一份声明中表示，三家公司之间的资金和商业协议是不仅将MRAM作为嵌入式SRAM，同时作为当前非易失性存储器的替代品。 其中2900万美元的资金来自Applied，ARM和现有投资者，2300万美元来自Allied Minds，Woodford Investment Management和Invesco Asset Management在前一轮认购的可转换证券。作为协议的一部分，ARM将获得授权使用Spin Memory的Endurance Engine IP，以解决SoC中的静态随机存取存储器（SRAM）应用问题。 三方协议使用Applied Materials在物理气相沉积和蚀刻工艺技术方面的创新， PSC的自旋偏振器技术以及垂直磁隧道结技术（pMTJ）。 PSC结构可将任何MRAM器件的自旋转矩效率提高40％至70％，同时更省电。Spin Memory表示，跟传统STT-MRAM产品相比，PSC不需要额外的材料或工具，PSC结构几乎不会增加任何复杂性。 该技术能够替换非易失性存储器（类似闪存）和SRAM，并且应该在2019年上市。 Spin Memory首席执行官Tom Sparkman在一份声明中表示,“通过与Applied Materials公司的合作，我们将把下一代STT-MRAM推向市场，满足对替代内存解决方案不断增长的需求.” 在基本的PSC pMTJ , Spin Memory开发了耐久性引擎 - 电路和设计架构的组合，把寿命提升了6个数量级，同时实现类似SRAM的读写速度。用于高速缓存的MRAM通常擦写寿命为10^8次，但耐久性引擎的寿命为10^14次，这对于几乎所有的SRAM和DRAM应用来说都是足够的。由于耐久性引擎完全使用数字电路实现，因此可以在任何逻辑或存储器数字工艺中制造，并且可以与任何pMTJ一起使用。 ARM将从Spin Memory获得耐久性引擎授权，并用它来开发一系列嵌入式MRAM IP。该MRAM IP将替换SoC中的静态随机存取存储器（SRAM），功耗比当前6晶体管SRAM更低。 ARM物理设计组总经理Gus Yeung说，“像AI，5G，ADAS和IoT这样的技术，需要比现有的基于SRAM和eFlash的解决方案更小的功率和面积，这些要求引领行业重新思考芯片的开发方式 - 包括其内存IP内容。ARM与Spin Memory的合作旨在解决一个关键的设计挑战，并在SoC中实现更广泛的MRAM设计应用。” |
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