74hc574是8位三态D触发器. 1脚是输出控制端,1脚=L,使能输出.1脚=H,高阻.
2脚=1D,3=2D,4=3D,5=4D,6=5D,7=6D,8=7D,9=8D.对应的是19脚=1Q,18=2Q,17=3Q,16=4Q,
15=5Q,14=6Q,13=7Q,12=8Q.11脚是时钟,上升沿触发.10脚是GND,20脚是VCC.
/OC CLK D Q
L 上升沿 H H
L 上升沿 L L

工作电压范围：2.0V~6.0V
最低输入电流：1.0uA

典型的CMOS型三态缓冲门电路，八路信号收发器。
由于单片机或CPU的数据/地址/控制总线端口都有一定的负载能力，如果负载超过其负载能力，一般应加驱动器。
主要应用于大屏显示
引脚定义

DIR：方向控制
A0~A7：输入/输出
B0~B7：输出/输入
OE：输出使能
真值表

其中An=Bn，An输入Bn输出，引脚一一对应关系，反向同理

VCC 电路的供电正电压 VDDD 芯片的工作数字正电压

GND 电路的供电负电压 VSSD 芯片的工作数字正电压
VDD 芯片的工作正电压 VREF+ ADC基准参考正电压
VSS 芯片的工作负电压 VREF- ADC基准参考负电压
VDDA 芯片的工作模拟正电压 VBAT 电池或其他电源供电
VSSA 芯片的工作模拟负电压 VEE 负电压供电

VCC 电路的供电正电压 VDDD 芯片的工作数字正电压
GND 电路的供电负电压 VSSD 芯片的工作数字正电压
VDD 芯片的工作正电压 VREF+ ADC基准参考正电压
VSS 芯片的工作负电压 VREF- ADC基准参考负电压
VDDA 芯片的工作模拟正电压 VBAT 电池或其他电源供电
VSSA 芯片的工作模拟负电压 VEE 负电压供电

闪存是一种永久性的半导体可擦写存储器，U盘、SD存储卡、SSD 等都属于闪存。
3D NAND颗粒又可以分为32层、48层甚至64层或更高层次，3D TLC/MLC颗粒的不同产品，各大厂商的技术不尽相同。根据NAND闪存中电子单元密度的差异，又可以分为SLC（单层次存储单元）、MLC（双层存储单元）以及TLC(三层存储单元)，此三种存储单元在寿命以及造价上有着明显的区别。


一、SLC、MLC、TLC、QLC ..

01
馈线终端设备（FTU）
1.1

定义FTU 是装设在馈线开关旁的开关监控装置。这些馈线开关指的是户外的柱上开关，例如10kV线路上的断路器、负荷开关、分段开关等。一般来说，1台FTU要求能监控1台柱上开关，主要原因是柱上开关大多分散安装，若遇同杆架设情况，这时可以1台FTU监控两台柱上开关。
1.2

特点FTU采用了先进的DSP 数字信号处理技术、多CPU集成技术、高速工业网络通 ..

特点简介：

SRAM ： 静态RAM，不用刷新，速度可以非常快，像CPU内部的cache，都是静态RAM，缺点是一个内存单元需要的晶体管数量多，因而价格昂贵，容量不大。
DRAM： 动态RAM，需要刷新，容量大。
SDRAM ：同步动态RAM，需要刷新，速度较快，容量大。
DDR SDRAM： 双通道同步动态RAM，需要刷新，速度快，容量大。

具体解释一：

什么是DRAM
　　DRAM 的英文全称是’Dynamic RAM’，翻 ..

特点简介：

SRAM ： 静态RAM，不用刷新，速度可以非常快，像CPU内部的cache，都是静态RAM，缺点是一个内存单元需要的晶体管数量多，因而价格昂贵，容量不大。
DRAM： 动态RAM，需要刷新，容量大。
SDRAM ：同步动态RAM，需要刷新，速度较快，容量大。
DDR SDRAM： 双通道同步动态RAM，需要刷新，速度快，容量大。

具体解释一：

什么是DRAM
　　DRAM 的英文全称是’Dynamic RAM’，翻 ..

一、主要区别：DTU是SOCKET连接的客户端。因此只有DTU是不能完成数据的无线传输的，还需要有后台软件的配合一起使用。FTU与RTU有以下区别：FTU体积小、数量多，可安置在户外馈线上，设有变送器，直接交流采样，抗高温，耐严寒，适应户外恶劣的环境；而RTU安装在户内，对环境要求高；FTU采集的数据量小，通信速率要求较低，可靠性要求较高；而RTU采集的数据量大，通信速 ..