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1月26日,台湾南部科学工业园区(STSP),台积电的Fab 18晶圆厂一期工程顺利奠基。这是台积电在台湾的第四座300mm晶圆厂,也将首次投产5nm新工艺。 x,z +l-y 台积电计划2019年第一季度完成新工厂的建设,并开始设备迁入,2019年第二季度试产,2020年初投入5nm的批量生产。 ><[($Gq`g Fab 18的二期工程将在今年第三季度开工,2020年投入量产,三期工程则计划2019年第三季度建设,2021年量产。 n-{G19? 台积电表示,三期工程全部投产后,Fab 18的年产能将达到100万块300mm晶圆。 g Xvuv^ 将于今年6月退休的台积电董事长张忠谋最后一次参加如此重要的开工仪式。他表示:“Fab 18代表着台积电的三个重要承诺:对未来发展的承诺,对持续推动技术进步的承诺,对台湾的承诺。5nm技术投资预计7000亿台币(约合人民币亿1520元),其中Fab 18的投资将超过5000亿台币(约合人民币1080亿元)。” ND7
gxt-B 台积电目前在STSP有超过1万名员工,Fab 18全部完工后可提供超过1.4万个工作岗位。 _}7N,Cx 台积电5nm FinFET工艺同时针对高性能计算和移动应用优化,首次引入EUV极紫外光刻,减少多重曝光的复杂性,并能更好地缩小芯片面积。 @%K@oD L 台积电还重申,3nm工厂未来也会设在台湾本土的STSP,不会前往美国。 W9T,1h5x 按照张忠谋此前说法,台积电将在2020年开工建设3nm工厂。 _*+ 7*vAL @twClk.s 台积电5nm工厂规划图 目前台积电7nm领先竞争对手三星、格罗方德与英特尔,而5nm预计在2019年上半年进行风险性试产,将有三期厂房生产5nm,2020年全面量产,将拉大与竞争对手领先差距。 虽然去年底消息传出三星、格罗方德与IBM合作发布5nm技术,但量产时间未详细说明,加上三星在制程跳跃式发展,未来量产后,良率仍是一大问题。 [=-?n6 台积电在7nm与7nm plus制程上分别采用浸润式微影与EUV,制程演进是按部就班将良率调好,再将EUV全面导入5nm,7nm可说具承先启后划时代意义,而5nm则是先进制程极致工艺最佳表现, 尤其因应高速运算(HPC)应用逐渐扩大,5nm可提高人工智能、超级计算机或虚拟现实整体效能表现。 <ok/2v 业界人士指出,在相同功率下,5nm可比7nm提高40%至50%效能表现,提供芯片高运算能力,而比起10nm晶体管省电70%,让讲究高待机时间移动设备,电力可使用时间更长,除了低功耗、高效能之外,晶粒大小也大幅缩减。 5dS5,
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