S>6f0\F/Y% 6^Q/D7U;s 2018年11月05日,美国新泽西州普林斯顿市 --- 碳化硅(SiC)功率半导体制造商UnitedSiC宣布推出采用标准TO-247-3L封装的UF3C FAST系列650V和120 V高性能碳化硅FET。与现有的UJC3系列相比,FAST系列具有更快的开关速度和更高的效率水平。
wuV*!oef o %x]8^vze 基于UnitedSiC专有的共源共栅配置
技术,新发布的系列产品在具备更高开关速度的同时,也能够为大多数TO-247-3L IGBT、Si-MOSFET和SiC-MOSFET器件提供“直接”替代解决方案。这意味着系统可以轻松
升级到更高的性能和效率,而无需更改现有的栅极
驱动电路。由于Qrr可以减小50%,因而能够降低导通损耗。对于高电流使用,仅需一个小型、低成本的RC缓冲器,这也简化了系统的抗电磁干扰
设计。
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=o}y UF3C FAST系列适合于应用各种硬开关电路,如有源整流器和图腾柱PFC级,通常可用于电动汽车(EV)充电、电信整流器和服务器
电源等。
4H]~ ]?F& GdlzpBl UF3C FAST系列基于UnitedSiC的第三代 SiC晶体管技术,将更快的SiC JFET和定制设计的Si-MOSFET集成在一起,能够实现通常处于关闭的高性能体二极管和MOSFET简易栅极驱动的理想组合。与其他宽带隙技术相比,SiC共源共栅器件支持标准的12V栅极驱动,并能够确保雪崩额定值(100%经过生产测试)。
O^L#(8bC ;/79tlwq UnitedSiC工程副总裁Anup Bhalla表示:“UnitedSiC的新型FAST SiC FET系列可以很轻松地使用,并具有极高性价比。该产品系列在高功率设计应用中使设计
工程师有机会实现更高的效率。”
&hSABtr} p!_3j^"{ 新发布的产品系列包括以下部件:UF3C120040K3S(1200V/35mΩ)、UF3C065030K3S(650V/30mΩ)和UF3C065040K3S(650V/42mΩ)。
Ocp`6Fj zT< P_l 该产品系列的数据表可通过访问
https://unitedsic.com/cascodes/ 获得,其中包括由UnitedSiC测试推荐的RC缓冲值,以获得最佳的性能。
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l 价格和供货 xl]1{$1M ' ~F 按1000片批量计算,该产品系列的价格范围从UF3C065040K3S的14.50美元到UF3C120040K3S的24.50美元不等。贸泽
电子和其他当地分销商可提供产品库存。