[供应]NAND01GW3B2CN6E小知识 [复制链接]

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NAND01GW3B2CN6E小知识
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特征 bk}'wcX<+]  
■高密度NAND闪存 C3"5XR_Ov  
- 用于2 Gbit内存阵列 -0>gq$/N=^  
- 为大容量存储应用提供有效的解决方案 Sd |=*X  
■DNAND接口 p?v.42R:z  
- x8或x16bus宽度 Lq6R_udp  
- 多路复用的地址/数据 ~]_U!r[FA  
- 适用于所有密度的兼容性 # zbAA<f  
■供电电压：1.8V / 3.0V W Y]  
■页面大小 0Kytg\p}  
-x8设备：（2048 + 64备用）字节 &{uj3s&C   
-x16设备：（1024 + 32备用）字 D02(6|  
■块大小 \QvoL  
-x8设备：（128K + 4K备用）字节 'OTQiI^t=  
-x16设备：（64K + 2K备用）字 psFY=^69o  
■NAND01GW3B2CN6E页面阅读/程序  nLD1j  
- 随机访问：25us（最大） 9-3, DxZ}  
- 顺序访问：30ns（分钟） (E{}iq@2  
- 页面编程时间：200us（典型值） y2{uEbA  
■复制回程序模式 w5+H9R6  
■缓存程序和缓存读取模式 PptVneujI  
■快速块擦除：2ms（典型值） a-bj! Rs  
■状态寄存器 tg%#W`  
■电子签名 sW^e D;  
■芯片启用'不关心' <c77GimD?  
■序列号选项 [Xyu_I-c  
■数据保护 <%iRa$i5  
- 硬件锁定 dtT:,&  
- 电源转换期间锁定硬件程序/擦除 |8q:sr_  
■数据完整性 6Lc{SR  
-100,000个编程/擦除周期 I?&/J4o:  
-  10年数据保留 F(?O7z"d  
■ECOPACK封装@ nmuzTFs=  
■开发pment工具 ,` 64t'g  
- 错误修正代码模型 !*1$j7`tP  
-Bad Blocks Management和Wear Leveling algo rithms v8} vk]b  
- 硬件仿真模型 Ls`[7w