[供应]NAND01GW3B2CN6E小知识 [复制链接]

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NAND01GW3B2CN6E小知识 ]#Cc7wa  
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特征 /ej[oR  
■高密度NAND闪存 Y)
@Y$_  
- 用于2 Gbit内存阵列 43x2BW&&  
- 为大容量存储应用提供有效的解决方案 NRny]!  
■DNAND接口 _p>F43%p  
- x8或x16bus宽度 r<'DS9m  
- 多路复用的地址/数据 )Gavjj&uJ  
- 适用于所有密度的兼容性 ufCpX>lNF  
■供电电压：1.8V / 3.0V J/fnSy  
■页面大小 c7~R0nP  
-x8设备：（2048 + 64备用）字节 F^$;hMh%  
-x16设备：（1024 + 32备用）字 }K8e(i6z  
■块大小 |_+#&x  
-x8设备：（128K + 4K备用）字节 T60pw  
-x16设备：（64K + 2K备用）字 RyP MzxV  
■NAND01GW3B2CN6E页面阅读/程序 PW|=I
PS  
- 随机访问：25us（最大） iGSA$U P|  
- 顺序访问：30ns（分钟） mogmr  
- 页面编程时间：200us（典型值） 5RvE ),  
■复制回程序模式 WQ 2{`'z  
■缓存程序和缓存读取模式 qEuO@
oE  
■快速块擦除：2ms（典型值） #bBh. ^  
■状态寄存器 -uWV( ,|  
■电子签名 .b+ix=:  
■芯片启用'不关心'
'B{FRK  
■序列号选项 p J_+n:_{  
■数据保护 R|}N"J_  
- 硬件锁定 Pw| h`[h  
- 电源转换期间锁定硬件程序/擦除 0Dna+V/jI  
■数据完整性 $,2T~1tE  
-100,000个编程/擦除周期 5?F5xiW  
-  10年数据保留 &oMWs]0  
■ECOPACK封装@ SOq:!Qt
  
■开发pment工具 :^PksR  
- 错误修正代码模型 v+"4YIN  
-Bad Blocks Management和Wear Leveling algo rithms ~x!up9  
- 硬件仿真模型 `:Gzjngc