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ISSI生产的32Mb高速低功耗异步SRAM，这种创新的设计加强了ISSI对具有最高质量和性能的SRAM的长期承诺。32Mb SRAM在汽车A3温度范围（-40°C至+ 125°C）下提供12ns的访问时间。 " nfi :A1
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ISSI IS61 / 64WV204816ALL / BLL是高速32M位静态RAM，组织为2048K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。 2dKt}o>
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这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术，可生产出高性能和低功耗的设备。 66
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当CS＃为高电平（取消选择）时，器件将进入待机模式，在该模式下，可以通过CMOS输入电平降低功耗。使用芯片使能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的LOW Write Enable（WE＃）控制存储器的写入和读取。数据字节允许访问高字节（UB＃）和低字节（LB＃）。 I0Allw[
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该器件采用JEDEC标准的48引脚TSOP（TYPE I）和48引脚微型BGA（6mm x 8mm）封装，应用范围在汽车/工业/医疗/电信/网络等。 }:{ @nP
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SRAM存储器是随机存取存储器之一。每个字节或字都有一个地址，可以随机访问。 SRAM支持三种不同的模式。每个功能在下面的“真值表”中进行了描述。 Y qWNp
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待机模式 3WwCo.q;m
取消选择时，设备进入待机模式（CS＃高）。输入和输出引脚（I / O0-15）处于高阻抗状态。此模式下的CMOS输入将最大程度地节省功率。 d/Wp>A@dob
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写模式 Q x|HvT2P
选择芯片（CS＃）且写使能（WE＃）输入为LOW时发生写操作问题。输入和输出引脚（I / O0-15）处于数据输入模式。即使OE＃为LOW，在此期间输出缓冲区也会关闭。 UB＃和LB＃启用字节写入功能。通过将LB＃设为低电平，将来自I / O引脚（I / O0至I / O7）的数据写入地址引脚上指定的位置。且UB＃为低电平时，来自I / O引脚（I / O8至I / O15）的数据被写入该位置。 * HHL a
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读取模式 BQ[R)o
选择芯片时（CS＃为低电平），写使能（WE＃）输入为高电平时，读操作出现问题。当OE＃为LOW时，输出缓冲器打开以进行数据输出。不允许在读取模式下对I / O引脚进行任何输入。 UB＃和LB＃启用字节读取功能。通过启用LB＃LOW，来自内存的数据出现在I / O0-7上。且UB＃为低电平时，来自内存的数据出现在I / O8-15上。 SEg{Gso9b
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在读取模式下，可以通过将OE＃拉高来关闭输出缓冲器。在此模式下，内部设备作为READ操作，但I / O处于高阻抗状态。由于器件处于读取模式，因此使用有功电流。 -}sMOy`
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上电初始化 ZlE=P4`X:
该器件包括用于启动上电初始化过程的片上电压传感器。 %x@bP6d[
当VDD达到稳定水平时，器件需要150us的tPU（上电时间）来完成其自初始化过程。 3_boEYl0
初始化完成后，设备即可正常运行。 *\}$,/m[' ;=^J _2ls
FYE(lEjxi  IS61-64WV204816ALL_BLL.pdf (869 K) 下载次数:0 :(/1,] bF
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