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MRAM是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时始终保持非易失性和高能效。Everspin MRAM可以抵抗高辐射，可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。这使得MRAM适用于汽车，工业，军事和太空应用。Everspin总代理英尚微电子提供技术支持产品解决方案。 )Xz,j9GzJS
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下面介绍Everspin AEC认证的汽车应用MRAM 2> x F){`
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MRAM非易失性存储器几乎可以在任何汽车系统中提高性能并降低成本 s^G.]%iU
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•以全总线速度保存数据 oi&VgnSk
•意外断电后立即恢复状态 X"|['t
•提供AEC Q-100合格的1级（-40 / 125°C）和3级（-40 / 85°C） B
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保护有价值的数据并降低成本MRAM内存是保留宝贵的车辆数据，简化设计并降低BOM成本的最佳解决方案。 *SbMqASv4G
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保护宝贵数据的最佳解决方案 gZ3u=uME
•不需要额外的内存用于磨损均衡 _lJ!R:*
•消除了昂贵的电容器 %A9NB !
•不再需要功率损耗检测电路 ^B.5G K)!
•简化系统固件，始终保持非易失性 by1<[$8r
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简化并降低BOM成本 wY{-BuX v
•无限的耐用性，可安全保存程序代码 +a Cv&sg
•快速写入-以系统总线速度工作的内存 TTX5EDCrC
•非易失性，数据保持温度> 20年 hc(#{]].
•不需要电容器，电池或缓冲液 j|DsG,
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最大化控制系统的数据访问 *MFIV02[N
MRAM在保持非易失性的同时最大化数据收集率 FBe;1OU
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由于较长的读/写周期，耐用性限制而导致数据丢失 B?gOHG*vd>
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无遗漏数据，写入速度与SRAM一样快，非易失性，无磨损，电源故障期间无数据丢失 `t>l:<@%
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MRAM像SRAM一样是快速写入的，而像Flash一样也是非易失性的，但是不需要页面擦除或长写入周期。事件数据可以以总线速度保存到MRAM，并且即使意外断电或掉电也可以保持持久性。 lV3x *4O=
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Everspin AEC认证的汽车应用MRAM !OhC/f(GBZ
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汽车应用Serial MRAM $lfn(b,
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汽车应用Parellel MRAM hE'-is@7 ^,lIK+#Elz
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