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MRAM是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时始终保持非易失性和高能效。Everspin MRAM可以抵抗高辐射，可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。这使得MRAM适用于汽车，工业，军事和太空应用。Everspin总代理英尚微电子提供技术支持产品解决方案。 &;L=f;
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下面介绍Everspin AEC认证的汽车应用MRAM lI.oyR'
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MRAM非易失性存储器几乎可以在任何汽车系统中提高性能并降低成本 W\;|mEEu
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M6N p!0G
•以全总线速度保存数据 nbf/WOCk
•意外断电后立即恢复状态 iemp%~UZ
•提供AEC Q-100合格的1级（-40 / 125°C）和3级（-40 / 85°C） \hBzP^*"n
保护有价值的数据并降低成本MRAM内存是保留宝贵的车辆数据，简化设计并降低BOM成本的最佳解决方案。 ; D/6e6
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保护宝贵数据的最佳解决方案 h& }i H
•不需要额外的内存用于磨损均衡 TO"Md["GI
•消除了昂贵的电容器 y) CvlI
•不再需要功率损耗检测电路 ~T-uk
•简化系统固件，始终保持非易失性 A>2 _I)
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简化并降低BOM成本 ~!8j,Bqs+z
•无限的耐用性，可安全保存程序代码 1
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•快速写入-以系统总线速度工作的内存 UXJblo#
•非易失性，数据保持温度> 20年 v:yU+s|kN
•不需要电容器，电池或缓冲液 {+E]c:{
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最大化控制系统的数据访问 {ilz[LM8(
MRAM在保持非易失性的同时最大化数据收集率 m|{^T/kIbQ
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由于较长的读/写周期，耐用性限制而导致数据丢失 2Ki _d
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无遗漏数据，写入速度与SRAM一样快，非易失性，无磨损，电源故障期间无数据丢失 4R\jZ@D
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MRAM像SRAM一样是快速写入的，而像Flash一样也是非易失性的，但是不需要页面擦除或长写入周期。事件数据可以以总线速度保存到MRAM，并且即使意外断电或掉电也可以保持持久性。 -n"w XOx3
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Everspin AEC认证的汽车应用MRAM dgoAaS2M
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汽车应用Serial MRAM m:[I$b6AY
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汽车应用Parellel MRAM |. 0~' 1*dN. v:5
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