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高密度MRAM作为新兴内存的潜力取代DRAM和闪存等现有设备,通常使它已经成功取代Toggle MRAM形式的成熟技术的阴影。 jo^c>ur ]B UirJ,2 B]H8^ 对于Everspin而言,Toggle MRAM的成功正在帮助推动其在其他产品领域的雄心壮志,并且最近宣布了其新的32Mb Toggle MRAM,其容量是其当前解决方案的两倍。Everspin表示,它旨在支持需要更高密度选项的关键应用,例如在嵌入式系统和物联网设备中存储配置,设置和数据记录,以及预测5G网络驱动的设备需求。 x.#E3xI d]Y;rqjue 那么,为什么不让客户使用两个16Mb设备呢? ]
j8bv3 yx|{:Li! 新的更高容量的Toggle MRAM可以满足客户的需求,这些客户在板上放置了16兆,并在此过程中增加了复杂性并占用了更多空间。Toggle MRAM提供了简便性,特别是当它替换SRAM和EEPROM的组合时,将其描述为“kluge修复程序”,尤其是在SRAM中添加了化学电池之后。从(设计)简单性以及设备的长期可靠性的角度来看,真的没有可比性。 i!RfUod uorX;yekC }W'4(V;: Everspin的新型32Mb Toggle MRAM旨在满足嵌入式系统,物联网设备以及5G网络设备中对配置,设置和数据记录的不断增长的存储要求。 |g.CS$'#Nt
4g"%?xN 尽管5G仍在加速发展并仍处于测试模式,但Everspin希望它在未来两年内从连接的设备的角度来看爆炸式增长,并且推动这些设备的数据和代码容量需求。仅这些设备的数据流就需要越来越多的持久性以实现断电和数据记录。 +ZwoA_k{ l=b!O Everspin的最新Toggle MRAM已在游戏,工业,军事和航空航天市场与客户一起采样,所有这些产品都利用了该产品的无限循环耐久性,可在-40C至+125C的各种温度范围内进行读写。 cFt&E |