在现如今得世界，科技已经发展的非常的完善，相对于工业革命刚开始的时候，如今的科技研发技术可以说是在缓慢的进步当中，但是在近些年来，有一种科技产品正在迅速的发展，那就是“电子芯片”，给我们的电子产品带来了巨大的提升。 @8|~+y8,
不要小看那小小地一枚电子芯片，可以说光是造它的工具都是世界顶尖的科技结晶，而在芯片技术方面，中国一直是处于后起之秀的位置，虽说比上不足，但是比下有余，然而就在最近，国产版7nm正式出动！中芯国际取得巨大进展，打破芯片垄断指日可待。 G?>qd}]y0L
在碍于光刻机的制造技术时候，中国在光刻机方面迟迟得不到突破之时，就另寻突破口，在最近中芯国际取得了巨大的进展，在FinFET N+1工艺的芯片，已经初步完成了测试，而且测速的结果非常之好，几乎都是一次就通过。 a a4$'8s
根据了解，N+1的芯片工艺，大大有别于14nm的制造工艺，14nm虽不是主流芯片，但是在14nm的基础之上进行突破，就能做到主流，而N+1工艺的出现，将芯片性能发挥到极致，据悉相对于上一代芯片，其新能大幅度提升，连功耗都降低了50%以上。 2q+la|1Cr
在制造的面积上也缩小了63%，结合种种技术，这颗FinFET N+1工艺的芯片能够去世界主流的7nm工艺相抗衡，虽然依旧无法得到量产，但是这是已经取得了重大的突破了，有一就有而，打破芯片垄断指日可待。 C,[ L/!
消息来源：腾讯新闻 [`q.A`Fd
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其实可能还是有人不相信现在能够造出与7nm工艺相仿的芯片，但是事实就是中国一直在努力的做出突破，而且也做到了，我们要做的是默默地支持，而不是涨他人的威风，要相信中国的科研能力，接下来就只是时间的问题了，肯定不会让我们失望。
