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按照TI高压电源应用产品业务部氮化镓功率器件产品线经理Steve Tom的说法,新产品在性能、效率和尺寸方面的突破,源于GaN材料更好的开关特性、更快的开关频率、更低的损耗、以及TI在硅基氮化镓衬底上的加工能力,因此与碳化硅(SiC)等同类衬底材料相比,更具成本和供应链优势。 j_*#"}Lcp 在他看来,功率密度、低EMI、低IQ、低噪声/高精度与隔离功能既是未来电源管理芯片发展的五大前沿趋势,也是衡量一家企业的产品性能是否继续享有领导地位的重要指标,5-10年内将不会出现任何改变。 qS|t7* 具体而言,就是提高功率密度可以在降低系统成本的同时实现更多的系统功能;尽量减少对其他系统组件的干扰,简化工程师的设计和鉴定流程;延长电池寿命与储存时间、实现更多功能,延长系统使用寿命并降低系统成本;降低或转移噪声可简化电源链并提高精密模拟应用的可靠性;在高压和关键安全应用中实现更高工作电压和更大可靠性。 5*pCb,z>q $n?@zd@53 E7qk>~Dg
广告 NrdbXPHceN “考虑到全球能源需求将持续增长,但生产动力的能力却受到了更多限制,因此必须改进半导体封装和拓扑结构,才能在成本、可靠性、占用空间和系统性能方面取得颠覆性优势。”以汽车行业为例,Steve Tom认为电气化正在改变汽车行业,消费者越来越需要充电更快、续航里程更远的车辆。因此,工程师亟需在不影响汽车性能的同时,设计出更紧凑、轻便的汽车系统;而在工业设计中,需要新器件在更低功耗和更小电路板空间占用的情况下,在AC/DC电力输送应用(例如超大规模的企业计算平台以及5G电信整流器)中实现更高的效率和功率密度。 &iD |