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1月21日，中国珠海英诺赛科科技有限公司和ASML公司达成批量购买高产能i-line和KrF光刻机的协议，用于制造先进的硅基氮化镓功率器件。 V l!Z|}z  RkN a;j)t 在珠海举行的签约仪式上，英诺赛科CEO 孙在亨先生 说：“我非常荣幸的宣布英诺赛科与ASML达成合作协议，我们将在一起努力用氮化镓技术改变未来。作为一家致力于推动第三代半导体创新革命的企业，我们需要与像ASML这样全球半导体领军的企业合作，采用更加先进的制造工艺，实现更加高的性能、良率和产出，在快速成长的各种应用领域(例如快充、TOF相机(Time-of-Flight Camera) 、智能手机、电动车、数据中心等)共同推出最先进的解决方案以及下个世代的氮化镓器件，为我们的客户、伙伴和消费者创造更有价值的产品和服务。第三代半导体是一次产业革命性的升级，变革从不简单，它需要我们携手共进，携手共进我们将实现合作共赢。” @ Zs}8YhC eD* "#O)W
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广告 ~<pGiW'w5 ASML全球副总裁，中国区总裁沈波表示：“我们很高兴成为英诺赛科的合作伙伴，第三代半导体在全球市场有广阔的应用前景，阿斯麦会全力提供光刻解决方案和服务，支持英诺赛科在这一领域的发展。” 1x]U&{do Nvs 8t% i8nC TW 在硅基晶圆上制造氮化镓功率器件 %/H HzM^Zn57% “我们应用在200mm晶圆生产线上的 XT平台，包括i-line、KrF和干式ArF等光刻机，是快速增长的硅基氮化镓市场的理想长期解决方案，不仅在生产率和成本方面是这样， 随着氮化镓（GaN）材料在新领域的应用，套准精度和成像要求也会随着时间的推移而扩展。” ASML 深紫外光刻业务产品营销和业务开发高级总监Toni Mesquida Kuesters说: “我们致力于帮助英诺赛科实现其预期目标，并期待卓有成效的合作。” NwmO [pt+ 凭借TWINSCAN(双工件台)架构，ASML生产的XT400和XT860 的i-line和KrF经过升级，能够在硅基晶圆上制造氮化镓功率器件。双工件台技术架构已经成为全球300mm和200mm晶圆量产生产线中的先进光刻技术代表 。英诺赛科将在今年第二季度搬入首批光刻机，这是第三代半导体领域首次量产应用先进的ASML双工件台光刻技术，这一实施标志着第三代半导体制造技术正式进入了一个全新的纪元。 <3QE3;4 英诺赛科科技有限公司成立于2015年12月，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓芯片制造的企业。2017年11月，公司成功建成投产全球首条8英寸（200mm）硅基氮化镓晶圆与功率器件量产生产线，主要产品包括200mm硅基氮化镓晶圆及30V-650V氮化镓功率器件。2020年9月，英诺赛科苏州工厂建设完成。英诺赛科产品已广泛应用于PD快充、立体(3D)相机、移动电子设备(包括智能手机、笔记本电脑、平板电脑)等领域。 ()vxTTa 6ZVJ2xs[% +gTnq")wnI 第三代半导体材料崛起
aF$HF;-y Z^AAC KME 功率器件和电路可以通过高开关频率和高功率密度来实现高效的能源管理， 这些功能可以广泛用于快速增长的新兴市场如数据中心、可再生能源和下一代无线通讯网络等。除较小的外形尺寸外，由于其高频率、高功率密度等特性，硅基氮化镓还是快速充电，直流电网，新能源汽车等市场理想选择。 ;""V s6 在芯片发展过程中，已经经历了三代材料，第一代是20世纪50年代提出的，以硅（Si）、锗（Ge）为代表的材料，特别是硅，我们的CPU、GPU的算力，都离不开硅的功劳。 /r|^Dc Nx 而第二代半导体材料发明于20世纪80年代，主要是指化合物半导体材料，以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）为代表。 un[Z$moN" 第三代半导体材料包括氮化镓(GaN) 、碳化硅（SiC）、氮化铝（AlN）、金刚石和氧化锌（ZnO），而氮化镓(GaN)是第三代半导体材料的典型代表，具有广阔的市场应用前景。 +E QRNbA
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