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[资料贡献]IS61WV25616BLL高速异步SRAM [复制链接]

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提示:会员销售的附件,下载积分 = 版块积分 + 销售积分       只看楼主 倒序阅读 使用道具 0楼 发表于: 04-07
美国ISSI公司是为汽车和通信,数字消费者以及工业和医疗主要市场设计开发高性能集成电路技术领导者。主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。近年来对精密半导体存储器的需求已从个人计算机市场扩展到了汽车,通信,数字消费,工业和医疗市场。这些产品需要增加内存内容,以帮助处理大量数据。 L|;sB=$'{  
Dd-a*6|x  
ISSI IS61WV25616BLL是高速的4Mbit静态SRAM,它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术,可生产出高性能和低功耗的器件。当CE为高电平(取消选择)时,器件将进入待机模式,在该模式下,可通过CMOS输入电平降低功耗。通过使用芯片使能和输出使能输入CE和OE,可以轻松扩展存储器。激活的LOW Write Enable(WE)控制存储器的写入和读取。数据字节允许高字节(UB)和低字节(LB)访问。IS61WV25616BLL封装在JEDEC标准的44引脚TSOP TypeII和48引脚Mini BGA(6mmx8mm)中。ISSI代理英尚微电子支持提供样品及产品技术支持等服务。 ,4B8?0sH|  
$1Wb`$  
BxZ7Bk  
s?4nR:ZC}  
引脚封装
SwaPRAF  
IS61WV25616BLL特征 A]drNFE  
高速:(IS61WV25616BLL) q!~DCv df  
•高速访问时间:8、10、20ns \MPbG$ ^  
•低有功功率:85mW(典型值) $D D esy3  
•低待机功率:7mW(典型值) ~dP\0x0AB  
CMOS待机 yJ6g{#X4K<  
•高速访问时间:25、35、45ns E}<i?;  
•低有功功率:35mW(典型值) {>XoE %  
•低待机功率:0.6mW(典型值) `0MQL@B  
CMOS待机 I[w5V;>*  
•单电源 koE]\B2A6  
-VDD2.4V至3.6V(IS61/64WV25616Bxx) BN&}g}N  
•完全静态操作:无需时钟或刷新 Q("4R  
•三态输出 -lAY*2Jg  
•高低字节数据控制 vo2GFo  
•工业和汽车温度支持 Z%=A[` 5]  
•无铅可用 ]KG.-o30  
,WM-%2z^4I  
ISSI公司跨各种终端市场对高性能存储设备的需求不断增长,这为高性能存储集成电路的集中供应商提供了巨大的机会。以开发领先的工艺技术,并在行业升级周期中更安全地获取晶圆产能。并为满足客户需求提供长期供应。继续开发和提供高性能产品。为主要市场开发精选的非内存产品。为了增加产品的多样化并提供SRAM,DRAM和闪存专业知识相辅相成的产品,开发精选的非内存产品以供主要市场使用。


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提示:会员销售的附件,下载积分 = 版块积分 + 销售积分       只看该作者 1楼 发表于: 04-07
    


离线yangxf0120

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提示:会员销售的附件,下载积分 = 版块积分 + 销售积分       只看该作者 2楼 发表于: 04-07
谢谢分享IS61WV25616BLL高速异步SRAM


离线mj8abcd

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提示:会员销售的附件,下载积分 = 版块积分 + 销售积分       只看该作者 3楼 发表于: 04-08
  


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