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[零组件/半导体] 芯片制程大PK:Intel 10nm,三星3nm,IBM 2nm,台积电1nm

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    目前全球的IT产业一年的规模超过10万亿美元,在全球半导体芯片缺货涨价的趋势下,各大芯片公司开启了硬核竞争模式:三星首发3nm,IBM推出2nm,台积电突破1nm,而英特尔这边,还在10nm边缘徘徊。

                                   
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    台积电、三星这两大代工巨头在芯片制程上不断前进,你追我赶,再次印证了中国互联网市场的规律,老大和老二打架,把老三intel甩到了身后。


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    三星 3nm


                                   
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    3月份的时候,三星全球首发了3nm的芯片,这是一颗3nm的 SRAM芯片,容量达到了256GB,但面积只有56平方毫米,采用了GAAFET晶体管工艺。
    三星这颗3nm的芯片推出后,很多人表示,这次三星可能要领先于台积电了,因为三星这次确实在技术上似乎领先了,毕竟使用GAAFET工艺,而台积电之前表示3nm芯片还使用FinFET晶体管工艺。
    IBM 2nm
    前不久,IBM全球首发了一颗2nm工艺的芯片,与三星的3nm芯片一样,采用的是GAAFET晶体管技术。

                                   
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    IBM的这颗芯片,晶体管密度达到了3.33MTr /mm²,也就是3.3亿个每平方毫米。这个密度相比于台积电、三星公布的3nm技术,先进了一大截。

    很多认为在这波竞赛中,似乎台积电落后了,毕竟三星3nm芯片首发了,IBM的2nm芯片也有了,台积电还没动静啊。
    台积电1nm重大突破
    台积电也在近日表示自己取得了1nm以下制程重大突破。

                                   
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    台积电是与台大、美国麻省理工学院合作研究,发现了用二维材料结合「半金属铋(Bi)」能达极低电阻,接近量子极限。

    利用这种技术,有助实现半导体1nm以下制程挑战,因为它能够解决二维材料高电阻及低电流等问题。

    从实际来看,除了三星的3nm技术是基本靠谱,明年可量产的技术外,像IBM的2nm,还有台积电的这个「半金属铋(Bi)」技术,更多的还是在理论阶段,但这无不表明,芯片战争真的无止境。

    Intel 10nm
    Intel的桌面和服务器CPU处理器一直没有实现更先进的制程,今年新CEO基尔辛格执掌大印后才开启技术路线,预计今年将推出10nm,7nm已经take in。
    今年下半年,Intel将推出代号为Alder Lake的12代酷睿处理器,升级10纳米ESF工艺和Golden Cove架构,首次使用大小核架构,最多16核24线程。

                                   
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    在服务器领域中,Intel推出了14nm工艺的Cooper Lake处理器,也就是第三代至强可扩展处理器,最多28核心56线程(八路就是最多224核心448线程),部分型号增加了核心数量,同时频率更高,基准频率提升至最高3.1GHz,单核睿频加速最高则可达4.3GHz,三级缓存最多38.5MB(每核心对应1.375MB),热设计功耗150-250W。

                                   
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    结语

    当然Intel的处理器架构与其他Arm架构有所不同,制程也不能用简单的数字进行比较。三星的3nm可能是目前能够最快量产的制程,台积电的1nm也只是取得重大突破,离实际量产应该还有一段距离。
    不过,制程之争已经成了芯片设计与代工领域最重要的方式。
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