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MRAM是一种利用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具有成为通用存储器的潜力，能够将存储存储器的密度与SRAM的速度相结合，同时具有非易失性和节能性。MRAM可以抵抗高辐射，可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。这使得MRAM适用于汽车、工业、军事和太空应用。 FS %Xq-c
|zV-a2K%J 下面介绍一款Everspin非易失性256Kb串口mram存储器MR25H256ACDF。 ]Je A29 'w+T vOB MR25H256ACDF是一个串口MRAM，内存阵列逻辑组织为32Kx8，使用串行外围接口(SPI)的片选(CS)、串行输入(SI)、串行输出(SO)和串行时钟(SCK)四个引脚接口。串行MRAM实现了当今SPIEEPROM和闪存组件通用的命令子集，允许MRAM替换同一插槽中的这些组件并在共享SPI总线上进行互操作。与可用的串行存储器替代品相比，串行MRAM提供卓越的写入速度、无限的耐用性、低待机和操作功率以及更可靠的数据保留。MR25H256ACDF已发布量产，推荐用于所有新设计。关于更多产品信息可咨询everspin代理，同时为客户提供产品相关技术支持。 aF:_ 1. LC 8"a[W3b MR25H256ACDF特征 A2 2h+8yG •无写入延迟 ( _ZOUMe •无限写入耐久性 zL @ZNH •数据保留超过20年 [T;0vv8 •断电时自动数据保护 (R*K)(Nw[ •块写保护 r@3VN~ •快速、简单的SPI接口，时钟速率高达40MHz zY<=r.m4 •2.7至3.6伏电源范围 m~fA=#l
l •低电流睡眠模式 +h6c Aqm] •工业和汽车1级和3级温度 Rld1pX2v •提供8-DFN或8-DFNSmallFlagRoHS兼容封装。 ,y[wS5li •直接替代串行EEPROM、闪存、FeRAM \e5bxc •工业级和AEC-Q1001级和3级选项 ta*B#2D> •湿度敏感度MSL-3 _|x b)_ /++CwRz@Gm 电气规格 ?hh 4M 该设备包含保护输入免受高静态电压或电场损坏的电路；但是，建议采取正常预防措施，避免将任何高于最大额定电压的电压施加到这些高阻抗(Hi-Z)电路上。
-<gGNj.x- v1yNVs \} 该设备还包含对外部磁场的保护。应采取预防措施以避免施加比最大额定值中规定的磁场强度更强的任何磁场。 _MfB,CS
H|4O`I;~( MR25H256ACDF规格书下载 Tp.0@aC  MR25H256-MR25H256A.pdf (1683 K) 下载次数:0 .17WF\1HC.
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