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英特尔公司今天公布了公司有史以来最详细的制程工艺和封装技术路线图，展示了一系列底层技术创新，这些创新技术将不断驱动从现在到2025年乃至更远未来的新产品开发。除了公布其近十多年来首个全新晶体管架构 RibbonFET 和业界首个全新的背面电能传输网络PowerVia之外，英特尔还重点介绍了迅速采用下一代极紫外光刻（EUV）技术的计划，即高数值孔径（High-NA）EUV。英特尔有望率先获得业界第一台High-NA EUV光刻机。 <9\Lv]ng 4 9HP 2E 英特尔公司CEO帕特·基辛格在以“英特尔加速创新”为主题的全球线上发布会中表示：“基于英特尔在先进封装领域毋庸置疑的领先性，我们正在加快制程工艺创新的路线图，以确保到 2025 年制程性能再度领先业界。英特尔正利用我们无可比拟的持续创新的动力，实现从晶体管到系统层面的全面技术进步。在穷尽元素周期表之前，我们将坚持不懈地追寻摩尔定律的脚步，并持续利用硅的神奇力量不断推进创新。” J* _^~t o2 ;Eti 业界早就意识到，从1997年开始，基于纳米的传统制程节点命名方法，不再与晶体管实际的栅极长度相对应。如今，英特尔为其制程节点引入了全新的命名体系，创建了一个清晰、一致的框架，帮助客户对整个行业的制程节点演进建立一个更准确的认知。随着英特尔代工服务（IFS）的推出，让客户清晰了解情况比以往任何时候都显得更加重要。基辛格说：“今天公布的创新技术不仅有助于英特尔规划产品路线图，同时对我们的代工服务客户也至关重要。业界对英特尔代工服务（IFS）有强烈的兴趣，今天我很高兴我们宣布了首次合作的两位重要客户。英特尔代工服务已扬帆起航！” `l6OQdB3W DL d~ 英特尔技术专家详述了以下路线图，其中包含新的节点命名和实现每个制程节点的创新技术： Q`{Vs:8X hi4-Z=pl 1. 基于 FinFET 晶体管优化，Intel 7与 Intel 10nm SuperFin 相比，每瓦性能将提升约10%-15%。2021年即将推出的Alder Lake客户端产品将会采用Intel 7 工艺，之后是面向数据中心的 Sapphire Rapids预计将于 2022 年第一季度投产。 DMTc{ ^=a:{["@! 2. Intel 4完全采用 EUV 光刻技术，可使用超短波长的光，刻印极微小的图样。凭借每瓦性能约 20% 的提升以及芯片面积的改进，Intel 4 将在 2022 年下半年投产，并于 2023 年出货，这些产品包括面向客户端的 Meteor Lake 和面向数据中心的 Granite Rapids。 XB@i{/6K 8C[ eHC*r 3. Intel 3凭借FinFET 的进一步优化和在更多工序中增加对EUV使用，较之Intel 4将在每瓦性能上实现约18%的提升，在芯片面积上也会有额外改进。 Intel 3将于2023年下半年开始用于相关产品生产。 IwOL1\'T4 (XlvPcTi 4. Intel 20A将凭借RibbonFET和PowerVia两大突破性技术开启埃米时代。RibbonFET 是英特尔对Gate All Around晶体管的实现，它将成为公司自 2011 年率先推出 FinFET 以来的首个全新晶体管架构。该技术加快了晶体管开关速度，同时实现与多鳍结构相同的驱动电流，但占用的空间更小。PowerVia 是英特尔独有的、业界首个背面电能传输网络，通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。Intel 20A 预计将在 2024 年推出。英特尔也很高兴能在Intel 20A 制程工艺技术上，与高通公司进行合作。 eA{A3.f"Hz v$+A! eo 5. 2025 年及更远的未来：从Intel 20A更进一步的Intel 18A节点也已在研发中，将于2025年初推出，它将对RibbonFET进行改进，在晶体管性能上实现又一次重大飞跃。英特尔还致力于定义、构建和部署下一代High-NA EUV，有望率先获得业界第一台High-NA EUV光刻机。英特尔正与 ASML 密切合作，确保这一行业突破性技术取得成功，超越当前一代 EUV。 Ov4=!o= e&E 7_ 英特尔高级副总裁兼技术开发总经理Ann Kelleher博士表示：“英特尔有着悠久的制程工艺基础性创新的历史，这些创新均驱动了行业的飞跃。我们引领了从90纳米应变硅向45纳米高K金属栅极的过渡，并在22纳米时率先引入FinFET。凭借RibbonFET 和 PowerVia两大开创性技术，Intel 20A 将成为制程技术的另一个分水岭。”
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