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功能概述 `KieN/d% FM25V02A是使用高级铁电工艺的256Kbit非易失性存储器。FRAM是非易失性的；与RAM相同，它能够执行读和写操作。它提供151年的可靠数据保留时间，并解决了由串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器造成的复杂性、开销和系统级可靠性的问题。赛普拉斯代理英尚微电子提供技术相关支持。 B_"P FWwg MSe >1L2= 与串行闪存和EEPROM不同，FM25V02A以总线速度执行写操作。不会产生写延迟。每个字节成功传输到器件后，数据立即被写入到存储器阵列内。这时可以开始执行下一个总线周期而不需要轮询数据。铁电存储器与其他非易失性存储器相比，该产品提供了更多的擦写次数。FM25V02A能够支持1014次读/写周期，或支持比EEPROM多1亿次的写周期。 jPs{ Mr< jM>;l6l 由于具有这些特性，因此FM25V02A适用于需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用。应用的范围包括从数据采集（其中写周期数量是非常重要的）到苛刻的工业控制（其中串行闪存或EEPROM的较长写时间会使数据丢失）。 H?;@r1ZAn 8`Tj *7Y= 作为硬件替代时，FM25V02A为串行EEPROM或闪存的用户提供大量便利。FM25V02A使用高速的SPI总线，从而可以增强FRAM技术的高速写入能力。该设备包含一个只读的设备ID，通过该ID，主机可以确定制造商、产品容量和产品版本。在–40℃到+85℃的工业级温度范围内，该设备规范得到保证。 P9M%B2DQ6f {`9J8qRY 特性 S>d7q ■256Kbit铁电性随机存储器（FRAM）被逻辑组织为32K×8 #r@>.S=U] ❐高耐久性：100万亿（1014）次的读/写操作 UryHte ❐151年的数据保留时间 lN*"?%<x> ❐NoDelay™写操作 .+5;AtN ❐高级高可靠性的铁电工艺 eRg;)[#0>$ ■非常快的串行外设接口（SPI） fjm 3X$tR ❐频率高达40MHz k>:\4uI|<\ ❐串行闪存和EEPROM的硬件直接替代 %Ybr5 $_ ❐支持SPI模式0（0,0）和模式3（1,1） 4H`B]Zt7 ■精密的写入保护方案 it->)?"(6 ❐使用写保护（WP）引脚提供硬件保护 -~
Dn^B1^ ❐使用写禁用指令提供软件保护 |A2o$H ❐可为1/4、1/2或整个阵列提供软件模块保护 {&nDm$KTD ■设备ID ESuP ZB ❐制造商ID和产品ID C-/+n5 J ■低功耗 A%~t[ H ❐频率为40MHz时，有效电流为2.5mA 5qkyi]/U8 ❐待机电流为150mA y)3OQ24 ❐睡眠模式电流为8mA ,W>-MPJn[8 ■工作电压较低：VDD=2.0V到3.6V SGpe \P ]k ■工业温度范围：–40℃~+85℃ z h%b< ■封装 4Td)1~zc3 ❐8引脚小外型集成电路（SOIC）封装 ~31-)*tJ] ❐8引脚扁平无引脚（DFN）封装 Zk5AZ R!| ■符合有害物质限制（RoHS） G#6O'G
N s 4n<k]d 封装引脚 jgBJs^JgYG |oR#j
` FM25V02A是一种采用先进铁电工艺的256Kbit非易失性存储器。FRAM是非易失性的，执行类似于ram的读取和写入操作。它提供了151年的可靠数据保留，同时消除了由串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器引起的复杂性、开销和系统级可靠性问题。 u\)q.` DO~ ~
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