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在电源和电机驱动应用中，功率MOS可以在不同的调制方式下，实现相应的能量转换功能。单个MOS驱动的结构如图1所示，通过MCU的 PWM模块调整占空比，控制功率MOS的通断，达到相应的功能。另外，在一些过压，过流和过载工况下，功率MOS很容易损坏，从而造成整个驱动板的失效，甚至存在起火的风险。本文提出两个冗余驱动线路，可以有效避免MOS单点失效的负面影响。 NZ? =pfK\s  #S74C*'8 图1：典型的有刷电动工具驱动系统 a {YVz\?d} 如图2所示，通过冗余的驱动和功率MOS，可以实现驱动的冗余，有效地隔离MOS失效的故障。在本设计中，驱动线路是完全隔离的，即驱动的原边和副边是隔离，驱动通道1和通道2是隔离。即使MOS失效，比如任意MOS短路，系统的高压并不能传导到低压，从而实现故障隔离。 pDS4 _u  gYIYA"xN` 图2：双管冗余驱动方案 sy#j+gZ
双管冗余驱动方案的设计要点如下： j:<T<8 .o - 可以采用两个单通道的隔离驱动IC，如果采用隔离半桥驱动芯片，芯片需要支持overlap模式。
- 输入通道的供电通过电阻和二极管连接到驱动供电轨。当下管导通时，驱动电压轨通过自举二极管为自举电容充电，自举电容上的电压可以为上桥臂驱动模块供电。
- 自举二极管击穿电压大于母线电压。
- 隔离IC的隔离工作电压大于母线电压。
- PWM输入信号，经过RC滤波网络，避免输入干扰信号。
 '$ nGtB5 图3：典型的有刷电动工具驱动系统 3mn-dKe(( UCC21225A 是隔离的双通道驱动芯片，原边供电电压3V-18V，副边供电电压6.5V – 25V，驱动延迟时间18ns，CMTI为100V/ns，驱动能力4A/6A，隔离等级为2500Vrms（在UL1577标准下）。UCC21225A根据外围线路，支持两通道的低边驱动，两通道的高边驱动和半桥驱动。在本文中，通过配置DT引脚，UCC21225工作在overlap模式。 j
W]c9 u 表1：UCC21225A的参数表 .c K 同时，UCC21225A具备隔离驱动的特性，输入和输出是隔离的，两个驱动通道之间也是隔离的。TI技术说明文档“Understanding failure modes in isolators”，详细给出了隔离器件的失效模式。由该文档可知，在失效模式2下，输入模块、隔离驱动模块1和隔离驱动模块2中的任一一个模块发生故障（短路或者开路），不会击穿绝缘基，即故障不会传导到其他模块。根据以上分析，MOS的不同形式的单点失效，对系统的影响如表格2所示。 \shoLp
表2：MOS不同失效下系统的影响 o[*ih\d 通过以上分析得知，在单个MOS的DS、GD、GS、GDS短路等失效条件下，可以保证系统功能正常，阻断故障点的扩大。但是在单个MOS的GS和DS开路失效条件下，功率回路断开，系统可靠关断。同时，如果双管冗余驱动方案中的隔离半桥驱动，采用支持overlap的非隔离半桥驱动，对于单个MOS的DS短路故障，可以做到良好的隔离，对于MOS的GD、GS和GDS短路失效，会造成驱动IC损坏，系统功能损坏。 @ uWD>(D 双管冗余驱动方案在MOS的GS和DS开路失效下，系统的功能异常，在双管冗余驱动方案上进一步改进，将MOS和驱动线路加倍，双路MOS并联在一起，可以保证在MOS的GS和DS开路失效条件下，系统功能正常。 8XE0 p7  :\cJ vm 图4：四管冗余驱动线路 hYx^D>}]
最后，虽然本文给出的示例都是低侧MOS驱动，在提供隔离驱动电压轨下，该方案也可以拓展到高侧MOS驱动。双管冗余和四管冗余驱动线路的优缺点如下： {=Y&q~:8v 表3：双管冗余和四管冗余驱动方案的优缺点分析 l0,O4k2 ' 本文给出两种MOS的冗余驱动线路，可以有效避免MOS单点故障造成的影响，在MOS的DS、GD、GS、GDS短路等条件下，双管冗余驱动可以保证系统功能正常，阻断故障点的扩大。同时四管冗余驱动，可以保证系统在MOS的任意单点故障下，隔离故障，系统功能正常。 pu#<qD*w
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