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[业界/制造]富士通新品8Mbit FRAM高达100万亿次的写入耐久性 [复制链接]

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离线英尚微电子

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提示：会员销售的附件,下载积分 = 版块积分 + 销售积分只看楼主倒序阅读使用道具 0楼发表于: 2021-12-14

FRAM是一种非易失性存储器产品，具有读写耐久性高、写入速度快、功耗低等优点，富士通推出了具有并行接口型号MB85R8M2TA的8Mbit FRAM存储芯片，这是富士通FRAM产品系列中第一款保证100万亿读/写周期的产品。

与富士通的传统产品相比，新产品实现了高速运行、约30%的访问速度和低功耗、10%的工作电流。该存储器IC是需要高速运行的工业机器中SRAM的理想替代品。

图1：MB85R8M2TA封装

富士通自2018年6月开始提供具有并行接口的8Mbit FRAM MB85R8M2T。在推广该产品的同时，听到了客户的声音，例如保证写入寿命超过10万亿次，运行速度与SRAM相同，TSOP封装与SRAM兼容。富士通推出满足这些要求的新8Mbit FRAM产品，保持FRAM的低功耗的独特特性。非常适合工业机器，同时实现高速运行和低功耗。

MB85R8M2TA具有与SRAM兼容的并行接口，可在1.8V至3.6V的宽电源电压范围内运行。它是富士通FRAM产品系列中第一款保证100万亿读/写循环时间的产品。

能够在快速页面模式下运行高达25ns，新的FRAM在连续数据传输时的访问速度与SRAM一样高。与富士通的传统FRAM产品相比，它不仅实现了更高的运行速度，而且实现了更低的功耗。该FRAM最大写入电流18mA，比目前产品小10%，最大待机电流150µA，小50%。采用44引脚TSOP封装，同封装作为富士通的4MbitFRAM以及48引脚FBGA封装。

富士通半导体存储器解决方案致力于在开发高性能产品的同时为可持续社会做出贡献。例如，该公司继续致力于低功耗FRAM产品的开发。随着功率消耗的减少，它的目的是减少CO2排放量更少的温室气体。富士通将继续满足市场和客户的需求和要求，并开发环保型内存产品。

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离线罗塘阮经天

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离线jackychen456

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离线00000845

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离线feixueshanhu

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厉害了。。。。

离线maogege-chen

PADS20220105初级班

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离线dzbao180

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离线魏伟

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离线ninihonghong

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离线nick_cai

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富士通新品8Mbit FRAM高达100万亿次的写入耐久性

离线windowsxp2012

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离线nick_cai

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富士通新品8Mbit FRAM高达100万亿次的写入耐久性

离线ninihonghong

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离线langjitianya丶

Pads-230522高级班

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离线dzbao180

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