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AMEYA360：罗姆 Semiconductor GNP1 EcoGaN™ 650V E模式GaN FET
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ROHM Semiconductor GNP1 EcoGaN™650V E模式氮化镓(GaN)FET采用低导通电阻和高速开关来提高电源转换效率和减小尺寸。该款高度可靠的GNP1 FET具有内置ESD保护和出色的散热性能，方便安装。应用包括高开关频率和高密度转换器。 i D6f/|g 特性 #Hn<4g"AjM 》650V E模式GaN FET [Lck 55V+Q 》低导通电阻 Ro}7ERA 》高速开关 Cz1Q@<) 》内置ESD保护 mu#I F'|b 》高度可靠的设计 +3>)r{#k 》帮助减少电源转换效率和尺寸 *B4?(&0 》出色的散热性能 -yP|CZM 》符合RoHS标准 '99rXw 应用 _4#Mdnh}[ 》高开关频率转换器 O{vVW 9Q 》高密度转换器 l|k Gp~ 规范 ?|i
C-7{8L 》GNP1070TC-Z WyA `V C 》DFN8080K封装类型 )r0X Qa]@$ 》连续漏极电流范围：7.3A至20A {"dvU "y)\ 》脉冲漏极电流范围：24A至66A 0hN gr' 》漏源电压：650V +g9C k lJ 》瞬态漏源电压：750V vVbBg; { 》栅源电压范围：-10VDC 至+6VDC +#RgHo?f 》瞬态栅源电压：8.5V [ML|, kq! 》+25℃时功耗：56W +=Y[RCXT 》栅极输入电阻：0.86Ω(典型值) g[c_rty 》输入电容：200pF(典型值) ]/#3 P 》输出电容：50pF(典型值) .),Fdrg 》输出电荷：44nC MaS-*;BY, 》总栅极电荷：5.2nC(典型值) <e h<4_<qF 》典型接通延迟时间：5.9ns 5y~ Srb?2 》典型上升时间：6.9ns I.6
qA * 》典型关闭延迟时间：8.0ns 6M#}& Gv 》典型下降时间：8.7ns !h ugn6 》GNP1150TCA-Z \Dx;AK s 》DFN8080AK封装样式 D_Zt:tzO 》连续漏极电流范围：5A至11A 7~qyz]KkE 》脉冲漏极电流范围：17A至35A jmBsPSGIC 》漏源电压：650V 01 <Ti" 》瞬态漏源电压：750V V r7L9%/wg 》栅源电压范围：-10VDC 至+6VDC 5F78)q u6N 》瞬态栅源电压：8.5V f z J^`
》+25℃时功耗：62.5W e9;5. m 》栅极输入电阻：2.6Ω(典型值) ts /Ha*h 》输入电容：112pF(典型值) AsfmH-4) 》输出电容：19pF(典型值) l+#uQo6cqQ 》输出电荷：18.5nC !Bj J5m 》典型总栅极电荷：2.7nC u#+Is4Vh 》典型接通延迟时间：4.7ns -KL 5sK 》典型上升时间：5.3ns q\G7T{t$. 》典型关闭延迟时间：6.2ns Tl
L,dPM 》典型下降时间：8.3ns &9ERl Z( A 文章来源：http://www.ameya360.com/hangye/109156.html，如有侵权请联系删除！ c=f; 3N
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