随着半导体技术的飞速发展，IC在处理速度上的高速增长，处理能力上的增强，芯片内部结构日趋复杂。因而IC制造也遇到挑战，其封装形式的小型化与I／0端数量的增长的矛盾推动封装形式的革新。 a'~y '6 1、双列直插式封装DIP(DualIn—line Package) A| -\C$ 传统芯片因工艺、功能等诸多因素制约，多采用DIP形式封装，甚至有些采用SIP(Single In—line Package)封装。相对于采用SMD这样组装所占面积较大，给设备小型化带来困难，且组装自动化程度较低。64脚DIP封装的IC，安装面积为25.4mm*76.2mm，相同端数采用引脚中心距为0.64mm无引线器件进行表面安装，安装面积为12.7mm*12.7mm，仅为前者的l／12。 ,i. P= o 
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'2#fkH[. 2、SMT常用封装 fs12<~+z 2.1、小外型封装SOP(Small Outline Package) ^;_b!7* SOP器件又称为SOIC(Small Outline Integrated Circuit)，是DIP的缩小形式，引线中心距为1.27mm，引脚形式：欧翼型、J型、I型，常用欧翼型。 [uHI
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sva$@y7b 2.2、塑封有引线芯片载体PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier) Y{ @[)M{< 塑封有引线芯片载体PLCC，引线中心距为1.27mm，引线呈J形，向器件下方弯曲，有矩形、方形两种。PLCC器件组装面积小，引线强度高，不易变形，多根引线保证了良好的共面性，使焊点的一致性得以改善。因J形引线向下弯曲，检修有些不便。 a{,t@G
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|P` 2.3、方形扁平封装QFP(Quad Flat Package) s[bKGn@ 方形扁平封装QFP，主要应用于ASIC(Application Of SpecificIntegrated Circuit)专用集成电路。普通引线中心距为1.0mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm，目前亦有采用0.3mmQFP。为保证引出线良好的共面性，美国的QFP器件四个脚都有一个突出的脚，其尺寸超过引出线O.05mm。 ,#haai( 
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Q+dI,5YF 总结：综合上述介绍，I／O数量的增加是以牺牲引线间距为代价。间距的缩小给芯片制造、组装工艺提出更高要求，难度亦随之增加，加之间距亦有极限，因此即使I／O数较多的QFP的发展也受到间距极限的限制，因而更新型的封装，更先进的技术就呼之欲出。 $!@f{9 + 3、球栅阵列BGA(Ball Grid Array) de=T7,G# 正如前面总结所述，缩小间距不是解决I／O数增长最有效的解决方案。于是便有以封装底面来互连的解决办法，这便是面积阵列封装AAP(Area Array Package)。采用AAP，相同I／O数与组装面积，AAP间距明显较大，这使组装容易，芯片制造难度下降；相同的组装面积和间距，AAP可使I／O数增多；若间距、I／O数相同，AAP的组装面积明显较小，这使设备的小型化易于实现。因此AAP成为当前封装的热点和趋势。以结构形式划分，AAP可分为BGA和FC。BGA又可分为PBGA、CBGA、CCGA、TBGA四类，下面分述之。 ii s cm\ 3.1、塑封球栅阵列PBGA(Plastic Ball Grid Array) m qw.v$> PBGA是最普遍的BGA封装类型，其载体为普通的印制板基材，如FR—4等。硅片通过金属丝压焊方式连到载体的上表面，然后塑料模压成型。有些PBGA封装结构中带有空腔，称热增强型BGA，简称EBGA。 =;T[2: JUu 
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}OFk.6{{&v 下表面为呈部分或完全分布的共晶组份(37Pb／63Sn)的焊球阵列，焊球间距通常为1.0mm、1.27mm、1.5mm。 kA0 ^~ PBGA有以下特点： %Et]w 其载体与PCB材料相同，故组装过程二者的热膨胀系数TCE(Thermal Coefficient Of Expansion)几乎相同，即热匹配性良好。 ER+[gT1CQ 组装成本低。 ,\7okf7H,- 共面性较好。 <^paRKEa+# 易批量组装。 <s >SnOD
=t2epIr 5 电性能良好。 E*vi@aI 3.2、陶瓷球栅阵列CBGA(CeramicBall Grid Array) ^D)C|T Y*f<\z(4 T /uu='3 CBGA即是以多层陶瓷作载体，硅片采用金属丝压焊方式或采用硅片线路面朝下，以倒装片方式实现与载体的互联，然后用填充物包封，起到保护作用。陶瓷载体下表面是90Pb／10Sn的共晶焊球阵列，焊球间距常为1.0mm和1.27mm。CBGA具有如下特点： ^
z;pP 优良的电性能和热特性。 V96BtV sB 密封性较好。 [<hi OB 封装可靠性高。 JAK*HA 共面性好。 ,D1QJPM 封装密度高。 "+AD+D 因以陶瓷作载体，对湿气不敏感。 AXFVsZH"zi 封装成本较高。 组装过程热匹配性能差，组装工艺要求较高。 BlCKJp{m$ 
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@z.!Dby 3.3、陶瓷柱栅阵列CCGA(CeramicCloumn Grid Array) Aj_}B. sr4K-|@ CCGA是CBGA的扩展，因此在制作工艺，性能上与CBGA相似。不同的是以90Pb／10Sn焊料柱替代了CBGA中的焊球，焊料柱的产生减小了组装过程PCB与陶瓷载体热性能失配产生的应力，但是焊料柱在组装过程中易受到机械损坏。CCGA的典型柱距为1.27mm。 M=%p$\x 
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_+i-) 3.4、载带球栅阵列TBGA(TapeBall Grid Array) ,ic}
载带球栅阵列TBGA是载带自动键合TAB(Tape Automated Bonding)技术的延伸。TBGA的载体为铜／聚酰亚胺／铜的双金属层带(载带)。载体上表面分布的铜导线起传输作用，下表面的铜层作地线。硅片与载体实现互连后，将硅片包封起到保护作用。载体上的过孔实现上下表面的导通，利用类似金属丝压焊技术在过孔焊盘上形成焊球阵列。焊球间距有1.0mm、1.27mm、1.5mm几种。TBGA有以下特点： 5:wf"3%% 封装轻、小。 :>=,sLfJ 电性能良。 O?_'6T 组装过程中热匹配性好。 cP,jC(<N 潮气对其性能有影响。 p%BO:%v 
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(@zn[ Nq 总结：综合上述介绍，BGA性能明显优于QFP，有良好的电性能，高I／O数。各类BGA的焊球、柱的组份基本是90Pb／10Sn(PBGA除外)，间距基本上是1.0mm、l.27mm，因此间距还有进一步缩小的空间，这样I／O数将进一步增多。 ^H'#*b0u 芯片封装的发展是适应微组装技术FPT(Fine Pitch Technology)的发展而发展。朝轻、薄、小化，高I／O数，外形尺寸小，引线或焊球间距小的方向发展。随着技术的发展，性能将进一步提高，价格将会下降。这样电子组装的新时代将来临，整机性能将明显改善。 6tM{cK%v1 <[Vr(.A @)}U\= [ 此帖被chen288018在2016-01-22 16:45重新编辑 ]
