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C8051F020+LTC2
一个6层底
UID:61310
y9cDPwi:b 本例其實不算是過嚴的length-matching routing,因為尚容許走線之間300mils的長度差。黃色是走線在layer 1與layer 4,但layer 4走線被layer 2 plane(綠色是GND net)遮住了所以看不到。
"K3"s Ec% 以Designer\Nexxim模擬
模擬結果整個group total skew大約190ps (with Rs=22 ohm),且可以看到走線分成兩群,波形SI較佳的是走在top layer沒有過孔換層的,波形SI較差且時間延遲較大的是走在bottom layer有一次過孔換層的。
Rs=22W,overshoot\undershoot沒有超標
L*xu<(>K 2.1 Layout雖然滿足data group內的線長差異控制在50mils以內,但整個走線太長沒有最佳化,多繞了一些蛇線: WgxGx`Y) 沒有開ODT,但有串連終端Rs=22W,模擬結果發現overshoot\undershoot過大,且眼圖很差;這是一個過度繞蛇線導致眼圖較差的實例
,m| :U 2.2 修改後的layout同樣滿足data group內的線長差異在50mils以內,但整個走線有最佳化 4l/hh|3@ 總線長縮短300mils,且線與線之間保持3W space,繞蛇線的程度較輕微,如下圖所示
|H`}w2U[j 沒有開ODT,但有串連終端Rs=22W,模擬結果發現眼圖有明顯改善
rBd}u+:* 3.1 沒有VDDQ-GND de-coupling capacitor,且BGA下方的地,被相鄰的anti-pad (clearance hole)打破 Z)?i&y? 下圖所示為一群DDRII的Addr\Cmd\Ctrl bus,且在主控IC的BGA正下方,可見一整排的via打破了內層plane,其中綠色是layer 2 ground plane,黃色走線在layer 1,另外layer 4也有走線,但被layer 2 plane遮住了所以看不到。
模擬結果整個group total skew大約800ps (Rs=22),會這麼差並不是因為走線沒取等長造成的 ,主要是因為此例還沒有加de-coupling capacitor 0.1uF於VDDQ-GND之間 ,所以走線只要一換層(從top轉到bottom),地迴路的連續性就被破壞了
&vf9Gp+MK 3.2 有VDDQ-GND de-coupling capacitor,且BGA下方被相鄰的anti-pad打破的地,用網線補起來(grid ground)
模擬結果顯示,整個group total skew大約310ps (Rs=22);這是因為增加了VDDQ-GND之間的0.1uF,減輕因為換層走線造成的地迴路不連續issue。
此例在anti-pad之間補細線的方式,一開始是透過PADS PCB layout tool施作,再由SIwave import .pcb轉出.siw的,在這轉換過程中,SIwave雖然視這些ground line為GND net,但在屬性上還是把它當trace而不是copper的一部份,而Ansoft處理trace與copper plane的方法是不同的,這可能會導致模擬結果有差異,無法完全呈現補grid ground後的ground plane performance
針對補grid ground這部份,我們在SIwave中用"Draw Rectangle"選擇"Merge", 再重新補一次,如下圖所 若整個project有很多net=GND的trace要改成plane,選定net後,執行Tools\ Convert Traces To Planes
模擬結果顯示,整個group total skew一樣大約310ps (Rs=22),但這次很明顯的看出走在layer 1的訊號是一群,走在layer 4的訊號是一群,後者delay與over-shoot\under-shoot都較大。這波形就很清楚的呈現了走線在top layer沒有過孔換層,與走線經過貫孔走bottom layer的差異就將近200ps了,剩下因為線長的差異所引起的timing skew其實只有數十ps。
只要減小PCB板厚(減輕via effect),將可以很看到這兩群訊號SI特性較一致,且時序也接近的改善效果Rs=22W,undershoot超出標準
模擬結果顯示,改Rs=33W,整個group total skew大約295ps
改Rs=33W,undershoot改善了
模擬結果跟section 2.1一樣都很差,沒有sec. 2.2來的好,主要的修改是走線拉直取最短,但這不是比sec. 2.2差的主因,變差的主因是沒有維持3W
高密度小BGA封裝的高速PCB設計,應盡量避免內層的plane(不管是power或ground plane)被相鄰的一整排anti-pad打破,形成破壞地迴路連續性的slot。改善方法是在anti-pad之間,在PCB製程可以確保良率的前提下,補細線成grid ground,這對SI\PI的改善非常顯著,且這種技巧因為在PCB內層施作,由外觀上不易識別出來,是板級設計技術差異的關鍵之一。 以DDRII-800 point-point routing的Addr\Cmd\Ctrl Group而言, 即使完全不繞蛇線也OK。而對Data group總線長1000mils以上,些微的蛇線做length-matching會好一點 ;若總線長可做在1000mils以內,即使完全不繞蛇線、不用ODT也OK;point-to-point的DDR routing,data group的走線可以縮到總線長600mils以內。 線越短、繞蛇線的部份越少越好;另外3W rule的影響在DDRII-800於四層板施作的影響較小,2W rule即可。如果打開ODT或伴地線則可以1W施作
{tUjUwhz( 以一條線寬5mils,特性阻抗為50歐姆的microstrip為例,模擬不同線間距的far-end cross-talk,得到下表數據:2W get -2.2%,3W get -1.5% (負表示電壓波形下陷)
3W rule在四層板真的有這麼重要嗎?看也些板子只留1W,DDRII-666或DDRII-800也可以跑的動呀?Ans:筆者這裡所強調的是較理想的作法,依此建議可以輕易做到不開ODT(省電,省熱耗)而跑到DDRII-800,但您如果用1W走線,可能就要犧牲量產時對各家DDRII的window餘量,甚至要打開ODT才可以
[1] Wei-Da Guo, "Comparisons Between Serpentine and Flat Spiral Delay Lines on Transient Reflection/Transmission Waveforms and Eye Diagrams," IEEE Trans. Microw. Theory Tech., vol. 54, no. 4, pp.1379-1387, Apr. 2006.[2] Michael J. Degerstrom, "Practical Design Considerations for Dense, High-Speed, Differential Stripline PCB Routing Related to Bends, Meanders and Jog-outs," p.27-36, DesignCon2014.
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