不少公司的采购会发现，拿到工程师提供的BOM中的器件去采购物料时，经常供应商还会问得更仔细，否则就不知道供给你哪种物料，严重时，采购回来的物料用不了。为什么会有这种情况呢？问题就在于，很多经验不够的工程师，没有把器件型号写完整。下面举例来说明，完整的器件型号是怎么样的。 r!x^P=f,MJ "3hw]`a}
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完整的器件型号，一般都是包括主体型号、前缀、后缀等组成。一般工程师只关心前缀和主体型号，而会忽略后缀，甚至少数工程师连前缀都会忽略。当然，并不是所有器件一定有前缀和后缀，但是，只要这个器件有前缀和后缀，就不可以忽略。 :'r Xu6c- RcHyePuF)R
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5 器件前缀一般是代表器件比较大的系列，比如逻辑IC中的74LS系列代表低功耗肖特基逻辑IC，74ASL系列代表先进的低功耗肖特基逻辑IC，74ASL系列比74LS系列的性能更好。又比如，2N5551三极管和MMBT5551三极管两者封装不同，一个是插件的(TO-92)，一个是贴片的(SOT-23)。如果BOM上只写5551三极管，那肯定不知道是哪个。 hU4~`g p Hh
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vb70~k Nq9(O#} |]`+@K,S 忽略前缀的现象一般稍少一点，但是忽略后缀的情况就比较多了。一般来说，后缀有以下这些用处：
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^qk$W? pX 1、 区分细节性能 JdV!m`XpXy 比如，拿MAXIM公司的复位芯片MAX706来说，同样是706，但是有几种阀值电压，比如MAX706S的阀值电压为2.93V，MAX706T的阀值电压为3.08V，这里的后缀“S”和“T”就代表不同的阀值电压。 5T;_k'qe }& 1_gn15
%3C,jg 2、区分器件等级和工作温度 1-qQp.Wj 比如TI公司的基准电压芯片TL431，TL431C代表器件的工作温度是0度至70度（民用级），TL431I代表器件的工作温度是-40度至85度（工业级），其中后缀“C”和“I”就代表不同的工作温度。 4XKg3l1 `9wz:s QtP
G A7 3、 区分器件封装形式 c?opVbJB\ 比如TI公司的基准电压芯片TL431，TL431CP代表的是PDIP封装，TL431CD代表的是SOIC封装，其中后缀“P”和“D”代表的就是不同封装（“C”代表温度，在上面已经解释）。 GUcuD^Fe h rXN 38-
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4、区分订货包装方式 APLu?wy7s5 比如，TI公司的基准电压芯片TL431 CD，如果要求是按盘装（2500PCS/盘）的采购，那么必须按TL431 CDR的型号下单，这里的后缀“R”代表的就是盘装。否则，按TL431 CD下单，买回来的可能是管装(75PCS/管)的物料。 f|q6<n_nM Lv_6Mf(
1 0 p+e_@ 5、区分有铅和无铅 O Ov"h\, 比如，ON公司的比较器芯片LM393D（“D”表示是SOIC封装），如果要用无铅型号，必须按LM393DG下单，这里的后缀“G”就表示无铅型号，没这个后缀就是有铅型号。 )v|a:'% K_ T}\U:@b
G;^iwxzhO 后缀可能还有其他特殊的用处，总之，后缀的信息不能省略，否则买回来的可能就不是你想要的物料。 4 bJ3uIP# xpS#l"dr
),~Ca 'TU 不同的公司的前缀和后缀可能是不同的（也有少数公司的一些前缀后缀一致），这需要参考实际选用厂家的具体情况。 YqDw*S{ 3s|tS2^4
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@lmk e > n@%'Nbc>b tRXM8't 二、各国半导体元器件型号的命名方法 ,Tr12#D: ^X_%e | K]7@%cS
w6cPd' 一、中国半导体器件型号命名方法 ~\oJrRYR` 半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分的意义分别如下： L?Lp``%bI7 - f/ = 0
第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。 cdh1~'q/
2：二极管；3：三极管 - i\<l&W
第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。 )kd)v4#
表示二极管时：A：N型锗材料；B：P型锗材料；C：N型硅材料；D：P型硅材料。 bh_ALu^CSX
表示三极管时：A：PNP型锗材料；B：NPN型锗材料； C：PNP型硅材料；D：NPN型硅材料。 - G's/Q-'[\
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。 MDB}G
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P：普通管； QUe.v b^O
V：微波管； 5fLCmLM`
W：稳压管； =_UPZ]
C：参量管； /stED{j,
Z：整流管； |FNP~5v
L：整流堆； OIo Aqt
S：隧道管； o?X\,}-s
N：阻尼管； 5( F!* 6i>
U：光电器件； f {)*"
K：开关管； n BD 7
X：低频小功率管(f <3MHz,Pc<1W)； q&N&n%rbm
G：高频小功率管(f >3MHz,Pc<1W)； *".7O*jjV
D：低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)； +}1]8:>cq
A：高频大功率管(f >3MHz,Pc>1W)； 97BL%_^k
T：半导体晶闸管(可控整流器)； Y Jv{Z^;M
Y：体效应器件； dE ^'URBiA
B：雪崩管； Qv?jo(]
J：阶跃恢复管； %|u"0/
CS：场效应管； Xr~r`bR=
BT：半导体特殊器件； OC [a?#R1
FH：复合管； te:VYP
PIN：PIN型管； a{8GT2h`4
JG：激光器件。 - mDq0 1fU4
第四部分：用数字表示序号。 - '}OrFN
第五部分：用汉语拼音字母表示规格号。例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。
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yA1<[V 二、日本半导体分立器件型号命名方法 -kJF@w6u 日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下： <iMkHc h - 7O{\^Jz1
第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。 |[: `izW
0：光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管； "2; UXX-H
1：二极管； r&H>JCRZ<=
2：三极或具有两个pn结的其他器件； X%gJ, c(4
3：具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件； H`".L^
┄┄依此类推。 - cg$~.ytPK
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。 G%6wk=IH
S：表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。 - m2V4nxw]Qp
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。 F6 UOo.L)I
A：PNP型高频管； 9!R !H&
B：PNP型低频管； 57oY]NT ?
C：NPN型高频管； lE`ScYG
D：NPN型低频管； % d=-<EQ|&
F：P控制极可控硅； ^@)+P/&
G：N控制极可控硅； (0k0gq;
H：N基极单结晶体管； A]n !d}?
J：P沟道场效应管，如 2SJ—- CtE".UlCA
K：N沟道场效应管，如 2SK—- S ^ n:O
M：双向可控硅。 - ~svu0[Vx
第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。 0)84Z .k
两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。 - 4o|~KX8Qz
第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。 0W>O,%z&P#
A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。
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y;(^ 三、美国半导体分立器件型号命名方法 pGOS'.K%t8 美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下： S#""((U$ - 5H',Bm4-
第一部分：用符号表示器件用途的类型。 }??q{B@v
JAN：军级； k4`v(au^
JANTX：特军级； Rc6Rk!^
JANTXV：超特军级； =N3~2=g~A
JANS：宇航级； R
vY`9D
无：非军用品。 - co*5NM^
第二部分：用数字表示pn结数目。 9\"~ G)
1：二极管； ?Z.YJX oKZ
2：三极管； mhs%b4 '>
3：三个pn结器件； ~ PP G U1
n：n个pn结器件。 - `|v#x@s
第三部分：美国电子工业协会(EIA)注册标志。 0xj V*0?s
N：该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记。 - uD5i5,q1Hs
第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。 me9R nPe:
多位数字：该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。 - vi=yR
第五部分：用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄同一型号器件的不同档别。如： 3 C[ ;2
JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管 JD> !3>S)?
JAN：军级； q!7\`>.2:{
2：三极管； (+ >n/ I6
N：EIA注册标志； :3G9YjzC}
3251：EIA登记顺序号； &iSQ2a!l8b
A：2N3251A档。
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Isi ,Tl ^ 四、国际电子联合会半导体器件型号命名方法 FKzqJwT 德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下： pLIBNo? - |g9^]bT
第一部分：用字母表示器件使用的材料。 -~xd-9v?
A：器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV如锗； .)o5o7H
B：器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV如硅； Eod2vr =Q
C：器件使用材料的Eg >1.3eV如砷化镓； @e slF
D：器件使用材料的Eg <0.6eV如锑化铟； |n~v_V2.0
E：器件使用复合材料及光电池使用的材料。 - >B9rr0 d0
第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。 ' |+_~ZO*d
A：检波开关混频二极管； kj[[78
B：变容二极管； *R:nB)(6<
C：低频小功率三极管； ;J _d%
D：低频大功率三极管； J d`NS3;*p
E：隧道二极管； NfSe(rd
F：高频小功率三极管； ql zL<
G：复合器件及其他器件； !F% dE!
H：磁敏二极管； } Jc^p
K：开放磁路中的霍尔元件； OO@$jXZ B
L：高频大功率三极管； :r6
b w
M：封闭磁路中的霍尔元件； ^=@%@mR/[C
P：光敏器件； . = NK^
Q：发光器件； c]O4l2nCL
R：小功率晶闸管； }`eeIt I+
S：小功率开关管； ,p2
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T：大功率晶闸管； iGp@P=;m
U：大功率开关管； @!Pq"/
X：倍增二极管； H@ 6
Y：整流二极管； )oNomsn
Z：稳压二极管。 - ]l\J"*"aB
第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。 l yT~>.?{
三位数字：代表通用半导体器件的登记序号； 6tJM*{$$H
一个字母加二位数字：表示专用半导体器件的登记序号。 - f&,.h"bS
第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。 *s/F4?*
A、B、C、D、E、、、表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。
l>:? U
除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下： t
& ucq Y - ]02V,'x
1、稳压二极管型号的后缀。 E;X'.7[c
其后缀的第一部分是一个字母：表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%； 7<)
.luV
其后缀第二部分是数字：表示标称稳定电压的整数数值； S5XFYQ
后缀的第三部分是字母V，代小数点， 字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。 - $DQMN
2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。 - Xh{EItk~oO
3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。 如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。
mbd@4u
-W oZwqh 五、欧洲早期半导体分立器件型号命名法 s*Fmu7o43 欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法： )cvC9gt - ^,rbA>/L
第一部分：O：表示半导体器件。 - U_!6pqFc
第二部分： w</kGK[O
A：二极管； !W6] +
C：三极管； >Rr]e`3wG
AP：光电二极管； NTn-4 iJy
CP：光电三极管； a~{mRh
AZ：稳压管； e06r5%|.%
RP：光电器件。 - U>{z*D
第三部分：多位数字：表示器件的登记序号。 - t[X'OK0W%3
第四部分：A、B、C、、、表示同一型号器件的变型产品。
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