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在2017年度IEEE国际电子组件会议(IEDM)上,Intel与Globalfoundries分别介绍了让人眼前一亮的新一代工艺技术细节... &M5v EPR
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在近日于美国旧金山举行的2017年度IEEE国际电子组件会议(International Electron Device Meeting,IEDM)上,英特尔(Intel)透露了将在10纳米工艺节点的部分互连层采用钴(cobalt)材料之计划细节,Globalfoundries则是介绍该公司将如何首度利用极紫外光(EUV)微影技术决战7纳米工艺节点。 Z5'^Hj1,
Intel表示将在10纳米节点互连的最底部两个层采用钴,以达到5至10倍的电子迁移率改善,以及降低两倍的通路电阻(via resistance)。市场研究机构VLSI Research董事长暨首席执行官G. Dan Hutcheson表示,这是第一次有芯片制造商分享将钴材料应用于工艺技术的计划细节,这种易碎金属一直被视为具潜力的介电质候选材料。 xppnBnu$7
Globalfoundries先前就表示将在7纳米节点采用EUV,该公司介绍了一个完全以浸润式光学微影为基础的平台,但被设计成能在特定层级导入EUV,以改善周期时间与制造效率;该公司首席技术官暨全球研发副总裁Gary Patton在接受EE Times采访时表示,EUV仍有一些问题需要解决,包括光罩护膜(pellicle)以及检测技术。Globalfoundries目前在纽约州北部的Fab 8晶圆厂安装了第一套EUV量产工具。 >A{e,&