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[零组件/半导体]DRAM芯片的中国梦 一场只许胜不许败的战争 [复制链接]

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在线shuszhao
 

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帅哥
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提示:会员销售的附件,下载积分 = 版块积分 + 销售积分       只看楼主 倒序阅读 使用道具 0楼 发表于: 2017-12-13
DRAM(动态随机存取记忆体),存储芯片的主力军,具有国家战略意义的技术高地,DRAM的国产化一直是中国高端制造的“中国DREAM”。 %Ijj=wW  
移动互联网爆发的背后离不开手机芯片的支撑,DRAM存储芯片在这其中更是不可或缺,得益于国产智能手机的快速发展,我国成为全球最大的存储芯片采购国——每年超过680亿美金,4500亿人民币的国内需求市场空间,未来在服务器、云端、物联网及人工智能领域的应用空间也极其宽广。 9U%N@Dq`Z  
但是,与之对应的尴尬现实是,2015年之前DRAM存储器制造在中国还是空白,全球市场被三星、海力士和美光垄断。在DRAM领域,即手机里的1G,2G,4G….内存,三星+海力士+美光占了全球份额的近94%,拥有压倒性优势。 QMpoa5ZQG  
被人扼住了脖子,中国该怎么办? /ID?DtJ  
中国互联网企业小米们的哭泣 %p 0xM  
小米:2016年我们的日子很不好过,手机销量持续下跌,其中一个很重要的原因是存储器供应不足,且价格不断飙升。利润也受到存储器大幅涨价的影响。 v 7x:dcV  
华为:我们2016年从韩国采购存储器等半导体产品的金额超过300亿人民币,占了我们全年总营收的近6%!采购金额增幅更是我们整体营收增幅的3倍,大大侵蚀了我们的利润。 x UD-iSY  
小米、华为们:三星、海力士,你们这些吸血鬼! Vkc#7W(  
三星、海力士、美光却抬着高傲的头颅,撇着嘴说:“谁让你们没有能力自己生产,趁着供不应求的大好行情我们当然得联合起来涨价大赚一波了,话说2017年我们将DRAM的价格又提升了40%,给你们看看我们去年的战绩” PKzyV ;  
好华丽的一张财报,亮瞎了小米、华为们及GPLP君的眼睛,原来我们与其差距简直是十万八千里: LoGVwRmoC  
以2016年全球半导体20强的营收为例: r#B+(X7LM  
前20强中美国公司营收总和1197亿美元,世界第一 }O4^Cc6  
韩国三星+海力士两家营业收入为587亿美元,仅次于美国,位居世界第二 TG5XSy  
台湾,台积电+联发科+联电为423.89亿美元;位居第三 [2{1b`e  
欧洲三家NXP+英飞凌+ST为243.5亿美元,居于第四 aUtnR<6  
第五是日本,索尼+瑞萨+东芝三家加起来是213.74亿美元 ,kn"> k9  
三星:看出来了吧,我们韩国现在是世界第二半导体强国,比欧洲和日本加起来还要多,我们三星今年还超过了英特尔,成为了世界第一大半导体供应商,2017年第三季度净利润更是高达98.7亿美元,增长145%,季度净利直逼苹果,成为世界最赚钱的两家公司,比全球所有银行,保险,石油公司都要赚钱。 |x-S&-  
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GPLP君疑问丛生:那你们的主业不是手机,而是半导体了? >cCR2j,r  
三星集团:半导体业务的确是我们的核心业务之一,业务收入超过了三星电子其他三项主营业务:手机+OLED屏幕+家电之和,比如2017年,三星业务的增长主要依靠的是存储器,其次是屏幕。半导体行业已然成了三星的摇钱树和盈利支撑。 KkE9KwZ]W  
中国的芯片企业:“I have a dream” ez6EjUk  
犹如京东方在面板领域为国争光一样,中国芯片企业的中国梦也在心底冉冉升起,来,让我们看他们的进展: X.e7A/ClEo  
兆易创新:你别嚣张,我们正在奋力追赶 qm8&*UuKJ  
兆易创新是一家技术型公司,创始人朱一明是清华的硕士,硅谷海归,国家千人计划技术专家,在他的领导下兆易创新开创了中国存储器产业的商业化。 AD<q%pu&H?  
联合合肥长鑫,兆易创新于2016年底投资494亿美元人民币开始建设DRAM存储器基地,预计2018年底开始量产,虽然预计良率仅为10%,但将是世界第四家突破20mm以下DRAM生产技术的公司。虽不及三星和海力士,但有望和美光一较高下。 h^o{@/2  
爆发吧,小宇宙。 v3jg~"!  
长江存储:我们正集国家之力弯道超车 &sL&\+=<(  
长江存储的前身是武汉新芯,成立于2006年。成立之初的目标就是做DRAM,但遭受当时DRAM价格低谷项目无疾而终。 2j[&=R/.  
几经波折,由于国家集成电路大基金的推动,武汉新芯在2016年3月宣布将投资240亿美元在武汉打造一个世界级的半导体存储企业,集中精力研发NANO FLASH 和DRAM 存储芯片。四个月后在国家大基金的推动下,紫光集团参与进来,共同在武汉新芯的基础上成立了长江存储公司,武汉新芯成为长江存储的全资子公司。其中紫光集团控股子公司紫光国芯占51.04%对长江存储形成控股。 ?n ZY)  
2017年1月,紫光集团进一步宣布投资300亿美元,在江苏南京投资建设半导体存储基地,一期投资100亿美元,建成月产能10万片,主要生产3D NAND FLASH(闪存)、DRAM存储芯片。 1cD! :[  
武汉工厂240亿美元+南京工厂300亿美元,光是长江存储项目,中国就砸了540亿美元,那么长江存储前景如何? '`uwJ&@  
近日,长江存储首次曝光了耗时2年,耗资10亿美元研发成功的32层64G的3D NAND FLASH存储芯片。这也是目前离世界水平最近的一颗存储芯片。 e;[F\ov %  
目前长江存储的重心放在3D NAND flash的开发上面,同时也在推进20/18nm的DRAM开发。按照长江存储的说法,DRAM进度慢于NAND FLASH,那么DRAM量产最快是在2020年,和2017年完成20nm制程转换的海力士、美光差距还是有近3年。 lh;:M -b9  
福建晋华:落后就要挨打 <"r#:Wr  
福建晋华集团与台湾联华电子合作,一期投资370亿元,在晋江建设12英寸晶圆DRAM厂,2018年建成月产能6万片,年产值12亿美元。规划到2025年四期建成月产能24万片。 N D2L_!g:(  
GPLP:我的天,近两年中国在存储器上的总投资已超过1400亿美元! A?pbWt ~}  
据GPLP君调查,存储器行业的人才竞争已经进入白热化,国家和企业都在拉拢相关领域最顶尖人才,毕竟,天时地利已经具备,剩下的就是人和了。 *9{Z$IA9w  
三星:虽然你们的技术不可能超过我,但我按例还是“反周期性打压”一下吧 6gs01c,BA  
所谓的“反周期定律”,是指在市场产能过剩、产品价格下跌、其他企业削减投资的时候,依靠政府输血,强行扩大产能,使产品价格进一步走低,疯狂扼杀其他企业的利润,在把竞争对手驱逐出场的时候,便可以在产品价格上扬的时候狠赚一笔。三星早将这种手段运用到炉火纯青,也是其多次击倒竞争对手的手段。 2mGaD\?K  
2017年5月,三星在韩国华城工厂投资27亿美元增设DRAM产线 AQiwugs  
2017年8月,三星宣布未来三年投资70亿美元,在中国最大的西安工厂扩产NAND Flash产能 UaB @  
2017年11月的消息,三星还将继续扩容内存产能。 k>g _Z`%<  
O6G0  
据统计,今年三星的资本支出将达到创纪录的260亿美元,单NAND FLASH就投了140亿美元,而2016年三星的资本支出总额才113亿美元。 -xA2pYz"  
|VNnOM  
这背后的目的不言而明,虽然短期内的高成本支出将带来折旧费用的提升,并导致获利能力下滑,但三星着眼的是长期的产业布局,并试图保持其在DRAM市场的领先地位。此外,通过迅速压低DRAM和NAND的价格,将使中国的竞争对手因生产良率低和技术的差距亏损扩大,增加发展难度并减缓其开发速度,甚至会利用进一步压低价格的市场手段进行压制,毕竟,利用自己的少量亏损可以加大其他竞争对手的亏损。 07^iP>?  
海力士:那我也跟着扩产吧 ssN6M./6  
海力士也没有闲着,2017年11月,SK海力士与无锡市政府签约,计划投资86亿美元扩充DRAM产能,估计新厂房每月产能为20万片。厂房预计2018年底完工,在2019年搬入机台设备开始实现量产。 @0u~?!g@  
中国、三星、海力士、美光:我们2019年正式开战 x-?Sn' m  
按GPLP君整理的时间线来看,2016年是中国存储元年,2019年是技术和产品转为量产的关键节点。也很可能是低价周期到来的节点。 pj?f?.^  
但即使到那时技术仍相差2年,即使只是刚刚真正进入战场,即使会面临三星等巨头的疯狂价格打压。那也值得我们所有人兴奋,因为到那时,不仅是华为小米等相关企业会因此受益,整个产业链也会发生极大的变化,蝴蝶效应正在产生。 x}8yXE"  
总结: csW43&  
细细回想可以发现,在曾经三星引以为豪的家电、手机和屏幕中,三星可以汲取中国的利益已经越来越少,尤其是家电。那么,当中国半导体开始真正走向强大之时,三星还能剩下什么,想到这里小编都不自觉地笑出声来。 u2?|Ue@[  
GPLP君认为,无论是反周期性打压还是技术压制,最后比拼的都是资金,拼的是资金带来的抗亏损能力和技术优势。与之前中国核心半导体半路夭折不同的是,此次芯片战争国家将倾国力,绝不会半途而废。 J\M>33zu  
还有各路资本大拿们,做点为国争光的事情吧,别整那些没用的泡沐,想想GPLP君就觉得无聊啊,大家洗洗睡吧。 7*Ej. HK  
“i have a dream”中国梦不是一句口号。 *5^Q7``  
让我们共同期待2019年的亮剑。 Us0EG\Y  


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