ZT>?[`V gc Pqe{ C?7B N"X;aVFs_ 拆解分析机构TechInsights的分析师探索了第四代3D闪存
芯片──海力士(SK Hynix)的256-Gbit 72层TLC NAND，指该芯片具备市场上最高闸极堆栈的产品。
V87?J w%2 在SK Hynix的72层(72L) TLC NAND闪存中，所谓的P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scalable)单元，是利用管线式(pipe)闸极链接每一个NAND字符串(NAND string)；从其布局可见，该芯片包含4个平面(plane)以及双面字符线开关/译码器(two-sided wordline switches/decoders)。 YGRv` `( 该内存数组的效率约57%，是因为相对较大的内存与其他周边；而SK Hynix的36L与48L产品内存数组效率则分别为67.5%与64.0%。此趋势显示SK Hynix应该会为下一代芯片开发尺寸更小巧的设计。 4l0ON>W( 三星(Samsung)以及东芝/WD (Toshiba/Western Digital)的64L 3D TLC NANS裸晶，有超过65%的内存数组效率；不过以上的内存芯片尺寸以及功能则都差不多。
各家64L与72L 3D NAND闪存单元数组效率比较 （来源：TechInsights） ^oNk}:> SK Hynix 72L NAND闪存的位密度为3.55 Gbits/mm2，高于Samsung/WD之64L芯片；而美光/英特尔(Micron/Intel)的64L 3D NAND芯片是4种解决方案中位密度最高的，主要是因为采用名为CuA (CMOS under the array)的独特砖式(title)布局。
64L与72L 3D NAND内存芯片位密度比较 （来源：TechInsights） =D<{uovQB 在3D NAND内存单元架构方面，SK Hynix芯片堆栈了总共82个闸极，包括选择器(selector)与虚设字符线(dummy wordlines，DWL)；我们知道有72个闸极是用于主动字符线单元，而最上方的三个闸极则是用于源极与汲极的选择器闸极(selector gates，SG)，剩余的7个闸极应该是用于DWL以及隔离闸极(isolation gates)。 A=LyN$ % 在各家厂商的64L NAND组件中我们看到： F!FXZht$P • Samsung采用了总数71个闸极，其中有3个用于SG，4个用于DWL； Z x9oj • Toshiba/WD产品的闸极总数为73个，其中7个用于SG，2个用于DWL； AS;E O[Vn • Micron/Intel产品的闸极总数为76个，其中2个用于SG，7个用于DWL。 DA)mkp 垂直单元效率计算方法，是主动字符线的数量除以垂直堆栈闸极的总数；其结果就是该3D NAND内存单元架构的流程效率。SK Hynix 72L产品的垂直单元效率为87.8%，Toshiba/WD的64L BiCS产品也是一样；Samsung的64L产品效率则为90.1%，而Micron/Intel的64L产品效率则为84.2%，如下图所示。
64L与72L 3D NAND内存产品的垂直单元效率 （来源：TechInsights） a1lF8; [ SK Hynix先前的36L与48L产品是采用单步骤蚀刻工艺来制作分别为43个与55个闸极总数的通道电洞(channel holes)；新一代的72L内存单元则是采用两步骤蚀刻工艺来制作通到电洞。在管线闸极上，较低的42个闸极以及较上方的40个闸极，分别是以两个不同的蚀刻步骤形成。而狭缝(slits)与子狭缝(sub-slits)则是以单步骤蚀刻形成，工艺整合程序如下： [ D[&aA - 管线闸极铸模成形(下方部位) 9C?;'
- 通道蚀刻(下方部位) ^T):\x(
- 牺牲层填入电洞； `m N*"1p-
- 铸模成形(上方部位)； [yzDa:%
- 通道蚀刻(上方部位)； .G"UM>.}d
- 牺牲层移除； 4CR.=
- 通道成形。 g. V6:>,
Micron/Intel的64L产品采用双堆栈NAND字符串架构，在上部与下部堆栈之间有一个平板(plate)；而SK Hynix的72L产品则是采用两步骤蚀刻工艺，而非双堆栈NAND字符串，工程师必须要严密控制工艺步骤，以避免上下部位的通道电洞未对齐；该电洞的尺寸在256 Gbit 72L产品约只有10奈米。更多关于SK Hynix 72L NAND闪存的分析，请点此连结阅读。 ~*WSH&ip
