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Intel 14nm工艺已经连续用了三代,还要再用一次,10nm则因为良品率始终无法达到满意程度而一再推迟,现在跳票到了2019年,而且上半年还是下半年Intel自己都不确定。 y4$$*oai& 相比之下,台积电、三星已经开始量产7nm,GlobalFoundries 7nm也不远了。 _+Sf+ta Intel的技术真的不行了?显然不是。虽然都叫xxnm,但是对比之下,Intel无疑是最为严谨的,一直在追求最高的技术指标,也正因为如此再加上半导体工艺难度急剧增加,Intel 10nm才一直难产。 ;$e)r3r`LV 目前,Intel 10nm处理器已经小批量出货,已知产品只有一款低压低功耗的Core i3-8121U,由联想IdeaPad 330笔记本首发。 ZJm$7T)V TechInsight分析了这颗处理器,获得了一些惊人的发现,直接证实了Intel新工艺的先进性。 1Kr$JIcd i3-8121U内核局部显微照片 >P:U9
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aqZ 分析发现,Intel 10nm工艺使用了第三代FinFET立体晶体管技术,晶体管密度达到了每平方毫米1.008亿个(符合官方宣称),是目前14nm的足足2.7倍!而且英特尔首次使用了贵金属钌。 ^q#[oO 作为对比,三星10nm工艺晶体管密度不过每平方毫米5510万个,仅相当于Intel的一半多点,7nm则是每平方毫米1.0123亿个,勉强高过Intel 10nm。 Ul6|LTY 至于台积电、GF两家的7nm,晶体管密度比三星还要低一些。 ef_H*e 换言之,仅就晶体管集成度而言,Intel 10nm的确和对手的7nm站在同一档次上,甚至还要更好! bfm+!9=9S 另外,Intel 10nm的最小栅极间距(Gate Pitch)从70nm缩小到54nm,最小金属间距(Metal Pitch)从52nm缩小到36nm,同样远胜对手。 fD3'Ye<R 事实上与现有其他10nm以及未来的7nm相比,Intel 10nm拥有最好的间距缩小指标。 :U=3*f.{ Intel 10nm的其他亮点还有: b)M-q{ - BEOL后端工艺中首次使用了金属铜、钌(Ru),后者是一种贵金属 m{$}u@a - BEOL后端和接触位上首次使用自对齐曝光方案(self-aligned patterning scheme) %d*0"<v - 6.2-Track高密度库实现超级缩放(Hyperscaling) Qe-Pg^PS] - Cell级别的COAG(Contact on active gate)技术 sC.r$K+k5 当然了,技术指标再先进,最终也要转换成有竞争力的产品,才算数。 DVMdRfA 关于英特尔的10nm工艺优势,之前我们也介绍过,而且英特尔CEO科赞奇也解释过他们的10nm工艺为什么难产的问题,一大原因就是他们的10nm工艺指标定的太高了,10nm工艺100MTr/mm2的晶体管密度实际上跟台积电、三星的7nm工艺差不多,性能指标是很好的,但遇到了良率这样的问题,所以量产时间上要比其他两家落后两年多。 R*0mCz^+h
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