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PCB设计必知：封装术语汇总解析(上) <Wj /A/
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来源：华强PCB作者：Levi
j~ =<O<P *lu*h&Y 1、BGA(ball grid array) UF\k0oLz
球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用 以 代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI 芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也 称为凸 点陈列载体(PAC)。引脚可超过200，是多引脚LSI 用的一种封装。 封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如，引脚中心距为1.5mm 的360 引脚 BGA 仅为31mm 见方；而引脚中心距为0.5mm 的304 引脚QFP 为40mm 见方。而且BGA 不 用担心QFP 那样的引脚变形问题。 该封装是美国Motorola 公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有 可 能在个人计算机中普及。最初，BGA 的引脚(凸点)中心距为1.5mm，引脚数为225。现在 也有 一些LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA。 BGA 的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为 ， 由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。 美国Motorola 公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC，而把灌封方法密封的封装称为 GPAC(见OMPAC 和GPAC)。 ar'VoL}
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2、BQFP(quad flat package with bumper) ACFEM9 [=
带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP 封装之一，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫) 以 防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC 等电路中 采用 此封装。引脚中心距0.635mm，引脚数从84 到196 左右(见QFP)。 u[4h|*'"|
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3、碰焊PGA(butt joint pin grid array) " (~fl<;
表面贴装型PGA 的别称(见表面贴装型PGA)。 3j[<nBsn.
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4、C－(ceramic) G9#3
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表示陶瓷封装的记号。例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。 M\Wg|gpy
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5、Cerdip E0aFHC[
用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECL RAM，DSP(数字信号处理器)等电路。带有 玻璃窗口的Cerdip 用于紫外线擦除型EPROM 以及内部带有EPROM 的微机电路等。引脚中 心 距2.54mm，引脚数从8 到42。在japon，此封装表示为DIP－G(G 即玻璃密封的意思)。 9"/=D9o9
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6、Cerquad ae2I,Qt%
表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封装DSP 等的逻辑LSI 电路。带有窗 口的Cerquad 用于封装EPROM 电路。散热性比塑料QFP 好，在自然空冷条件下可容许1. 5～ 2W 的功率。但封装成本比塑料QFP 高3～5 倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、 0.5mm、 0.4mm 等多种规格。引脚数从32 到368。 9Uz2j$p7
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7、CLCC(ceramic leaded chip carrier) h+cOOm-)
带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形 。 带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM 以及带有EPROM 的微机电路等。此封装也称为 QFJ、QFJ－G(见QFJ)。 f'7/Wj
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8、COB(chip on board) V' i @N
板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与 基 板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用 树脂覆 盖以确保可靠性。虽然COB 是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB 和 倒片 焊技术。 . lI.I EpCNp FQT<
hh.`Yu L 9、LGA(land grid array) bGwj` lue
触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现 已 实用的有227 触点(1.27mm 中心距)和447 触点(2.54mm 中心距)的陶瓷LGA，应用于高速 逻辑 LSI 电路。 LGA 与QFP 相比，能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外，由于引线的阻 抗 小，对于高速LSI 是很适用的。但由于插座制作复杂，成本高，现在基本上不怎么使用 。预计 今后对其需求会有所增加。 mZ3Z8q}%P
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10、DFP(dual flat package) 8{7'w|/;.{
双侧引脚扁平封装。是SOP 的别称(见SOP)。以前曾有此称法，现在已基本上不用。 Fa </
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11、DIC(dual in-line ceramic package) hu}uc&N)iE
陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP). y .gNjc
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12、DIL(dual in-line) 0&Iu+hv
DIP 的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。 eSW}H_3
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13、DIP(dual in-line package) NID2 $ p
双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种 。 DIP 是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。 引脚中心距2.54mm，引脚数从6 到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm 和10.16mm 的封装分别称为skinny DIP 和slim DIP(窄体型DIP)。但多数情况下并不加 区分， 只简单地统称为DIP。另外，用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP 也称为cerdip(见cerdip)。 5twG2p8
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14、DSO(dual small out-lint) OKj\>3
双侧引脚小外形封装。SOP 的别称(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。 _? bF;R
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15、DICP(dual tape carrier package) qV``' _=<
双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于 利 用的是TAB(自动带载焊接)技术，封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动LSI，但多数为 定制品。 另外，0.5mm 厚的存储器LSI 簿形封装正处于开发阶段。在japon，按照EIAJ(japon电子机 械工 业)会标准规定，将DICP 命名为DTP。 ?8<R)hJ a<
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16、DIP(dual tape carrier package) tqKX\N=5^
同上。japon电子机械工业会标准对DTCP 的命名(见DTCP)。 g`"_+x'
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17、FP(flat package) m8gU8a"(
扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP 或SOP(见QFP 和SOP)的别称。部分半导体厂家采 用此名称。 N]|)O] /[
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18、flip-chip 8lCo\T5"
倒焊芯片。裸芯片封装技术之一，在LSI 芯片的电极区制作好金属凸点，然后把金属凸 点 与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有 封装技 术中体积最小、最薄的一种。 但如果基板的热膨胀系数与LSI 芯片不同，就会在接合处产生反应，从而影响连接的可 靠 性。因此必须用树脂来加固LSI 芯片，并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。 <){J|O
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19、FQFP(fine pitch quad flat package) #,!/Cnqis
小引脚中心距QFP。通常指引脚中心距小于0.65mm 的QFP(见QFP)。部分导导体厂家采 用此名称。 ! ;Ctz'wz
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20、CPAC(globe top pad array carrier) =RlAOgJ
美国Motorola 公司对BGA 的别称(见BGA)。 N'21I$ D
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21、CQFP(quad fiat package with guard ring) "`[4(j
带保护环的四侧引脚扁平封装。塑料QFP 之一，引脚用树脂保护环掩蔽，以防止弯曲变 形。 在把LSI 组装在印刷基板上之前，从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L 形状)。 这种封装 在美国Motorola 公司已批量生产。引脚中心距0.5mm，引脚数最多为208 左右。 Z22#lF\ N
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22、H-(with heat sink) """eU,"
表示带散热器的标记。例如，HSOP 表示带散热器的SOP。 8Urj;KkD
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23、pin grid array(surface mount type) `mN5s q
表面贴装型PGA。通常PGA 为插装型封装，引脚长约3.4mm。表面贴装型PGA 在封装的 底面有陈列状的引脚，其长度从1.5mm 到2.0mm。贴装采用与印刷基板碰焊的方法，因而 也称 为碰焊PGA。因为引脚中心距只有1.27mm，比插装型PGA 小一半，所以封装本体可制作得 不 怎么大，而引脚数比插装型多(250～528)，是大规模逻辑LSI 用的封装。封装的基材有 多层陶 瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。 'p uiahA
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24、JLCC(J-leaded chip carrier) QKt{XB6Y
J 形引脚芯片载体。指带窗口CLCC 和带窗口的陶瓷QFJ 的别称(见CLCC 和QFJ)。部分半 导体厂家采用的名称。 <2^
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25、LCC(Leadless chip carrier) h]o{>
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无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。是 高 速和高频IC 用封装，也称为陶瓷QFN 或QFN－C(见QFN)。 b X/%Q^Y
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26、LOC(lead on chip) #[~f 6s9D
芯片上引线封装。LSI 封装技术之一，引线框架的前端处于芯片上方的一种结构，芯片 的 中心附近制作有凸焊点，用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面 附近的 结构相比，在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm 左右宽度。 j[fY.>yt&
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27、LQFP(low profile quad flat package) Z .U8d(
薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm 的QFP，是japon电子机械工业会根据制定的新QFP 外形规格所用的名称。 a7la CHI
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28、L－QUAD (.g?|c
陶瓷QFP 之一。封装基板用氮化铝，基导热率比氧化铝高7～8 倍，具有较好的散热性。 封装的框架用氧化铝，芯片用灌封法密封，从而抑制了成本。是为逻辑LSI 开发的一种 封装， 在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208 引脚(0.5mm 中心距)和160 引脚 (0.65mm 中心距)的LSI 逻辑用封装，并于1993 年10 月开始投入批量生产。 lfLLk?g3k
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29、MCM(multi-chip module) fZxEE~Q1
多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可 分 为MCM－L，MCM－C 和MCM－D 三大类。 MCM－L 是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高，成本较低 。 MCM－C 是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件，与使 用多层陶瓷基板的厚膜混合IC 类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM－L。 MCM－D 是用薄膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al 作为基板的组 件。 布线密谋在三种组件中是最高的，但成本也高。 v)v`896S`
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30、MFP(mini flat package) 6CNxb
小形扁平封装。塑料SOP 或SSOP 的别称(见SOP 和SSOP)。部分半导体厂家采用的名称。 kfkca j4l]
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31、MQFP(metric quad flat package) tE:6
按照JEDEC(美国联合电子设备委员会)标准对QFP 进行的一种分类。指引脚中心距为 0.65mm、本体厚度为3.8mm～2.0mm 的标准QFP(见QFP)。 H+VjY MvK
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32、MQUAD(metal quad) R!RgQwEak
美国Olin 公司开发的一种QFP 封装。基板与封盖均采用铝材，用粘合剂密封。在自然空 冷 条件下可容许2.5W～2.8W 的功率。japon新光电气工业公司于1993 年获得特许开始生产 。 wf,w%n
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33、MSP(mini square package) h09fU5l
QFI 的别称(见QFI)，在开发初期多称为MSP。QFI 是japon电子机械工业会规定的名称。 jd}-&DN
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34、OPMAC(over molded pad array carrier) '2S?4Z
模压树脂密封凸点陈列载体。美国Motorola 公司对模压树脂密封BGA 采用的名称(见 BGA)。 2zb V9Bhq
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35、P－(plastic) Y;>D"C..
表示塑料封装的记号。如PDIP 表示塑料DIP。
