芯闻动态 SZ4@GK
1、台积电已在研发2nm/3nm制程 yVPFH~1@\
2、联发科宣布进军车用芯片市场 明年Q1推出产品 trLxg H_Y
3、2016年全球IC设计销售额年减3.2% nddCp~NX
4、Dialog投资Energous 加速无线充电技术普及 wc}x
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5、两岸IC设计争霸 展讯市值估计150亿~200亿美元 T
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6、传苹果iPhone8测试机达10款 含OLED版 <0l:B;3
7、一加3T发布 骁龙821+高速闪充 wt_ae|hv
8、28nm MRAM即将问世 4 #lLC-k
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1、台积电已在研发2nm/3nm制程 /<O9^hA|
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为在国际市场持续在制程上保持领先,同时因应客户需求,近期台积电的台湾南科厂通过环境影响差异审查后,将加速台积电未来扩厂计划,包括中科厂第6期预计明年完工并投入7纳米制程,南科厂明年也将开始着手准备投入更先进的5纳米制程。市场预期台积电积极投入最先进的制程将再进一步领先英特尔和三星等竞争对手。 G[zy sxd
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南科通过环差审查 `q\v~FT
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针对台积电建厂最新进度方面,台积电企业讯息处处长孙又文指出,中科厂第5期目前进度已逾96%,该厂品10纳米制程也已进入量产,明年第1季将会小量产出,而第6期日前已完成上梁,预计明年完工并将开始进入7纳米生产。 9]{Ss$W3x
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在南科最新进度上,南科环境影响差异分析报告案本月24日已通过专案小组审查。 FY+@fy
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台积电表示,由于5纳米的产品技术门槛很高,但未来的市占率及单位产值也将会跟着成长,为领先竞争对手及满足客户未来的需求,台积必须进入5纳米制程,而在通过环差审查,台积电明年就可以为进入5纳米制程做好建厂准备,若一切顺利,台积电南科厂可望于在2020年量产5纳米制程。 DAMw(
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进行2、3纳米研发 >Ij#+=
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台积电南科厂目前已有7期厂房,主要是20、16纳米制程,因此,若要继续投入5纳米制程,台积电将持续推动第8期计划。 2v*X^2+
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而台积电共同执行长刘德音日前在台湾半导体产业协会年会中首度透露,台积电在制程方面,除10纳米将在年底量产之外,5纳米制程已经如火如荼进行,3纳米制程有300~400人在做研发,也在进行2纳米研发。 Fk`6
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台积电第3季合并营收在传统旺季以及苹果A10芯片开始出货之下达新台币2604.06亿元,季增17.4%,不仅超越原预估的财测高标,也再度写下单季新高。 oye/tEMG
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展望第4季,在智能手机需求带动下,台积电预估第4季合并营收将介于新台币2550~2580亿元,仅较第3季小幅下滑0.9~2.1%,表现明显优于市场预期,全年合并营收则可望较去年成长10%左右。 *9r 32]i;
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2、联发科宣布进军车用芯片市场 明年Q1推出产品 T?-K}PUcQ
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联发科董事长蔡明介日前在股东会后曾经表示,未来车用电子市场将会是联发科着力的主要产品之一。因此,29 日正式由副董事长暨总经理谢清江宣布,进军车用芯片市场。未来,将借由过去在 SoC 多年来设计经验,并以既有影像处理技术,开始切入 ADAS、高精准度毫米波雷达、车用资讯娱乐系统、车用资通讯系统等 4 大核心领域。并且预计在 2017 年第 1 季推出首款车用电子芯片。 :{xu_"nYr
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谢清江表示,随着车联网和自动驾驶汽车市场持续增长,汽车制造商们需要具备高运算能力、低功耗,又具有经济效益的先进技术,这使得对车用芯片需求提升。因此,在日前竞争对手,手机芯片龙头高通 (Qualcomm) 宣布买下车用电子大厂恩智浦 (NXP) 以跨足车用电子产业之后,联发科也顺势宣布进军车用芯片市场,并预计于 2017 年第 1 季发布首波车用芯片解决方案。 %NL7XU[~
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谢清江进一步表示,联发科在智能手机、家庭娱乐、无线链接和物联网等领域积累丰富完整的技术基础,将为整个汽车产业带来创新的多媒体、无线链接与感测器解决方案,切入四大核心领域,未来将提供全球车厂完整且高度整合的系统解决方案,实现车联网与自动驾驶的未来。 WMoRosL74
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联发科副总经理暨新事业发展本部总经理徐敬全也指出,当前的车联网和自动驾驶汽车需要一套独特的技术组合,联发科的核心竞争力有能力跨足到车用芯片设计领域。过去 12 年,联发科投入超过 100 亿美元的研发经费,累积完整且领先的技术实力,包括数据机/射频相关技术、电脑运算、无线链接及智能演算法等。 DEzL] 1;P
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因此,在投入车用电子市场之后,联发科预计会以前装市场的发展为主。而且,因为联发科的切入产品,与过去传统汽车电子的方向有所不同,都会是当前传统汽车大厂推出新产品时,必须要的全新科技项目。因此,寻求配合的厂商,除了直接与车厂商谈合作之外,也会与第一级、第二级的供应厂商合作,全面抢进电子市场。 Oo%%f+
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3、2016 年全球 IC 设计销售额年减 3.2% @Z~0!VY
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TrendForce 旗下拓墣产业研究所最新研究显示,2016 年全球 IC 设计销售额预估将达 774.9 亿美元,年衰退 3.2%。展望 2017 年,受惠于车用等成长动能强劲的市场,全球 IC 设计销售额预估将上看805.9亿美元,年成长率达 3.4%。 /Dk`?
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2016 年全球 IC 设计产业销售额呈现年衰退态势,主因在于智能手机、笔电、平板等各类终端产业皆处于高度成熟期,成长相当有限,且全球半导体也进入产业成熟期,各类技术上难有突破,因此不易拉抬上游的 IC 设计产业销售额成长。然而,与 2015 年相较,2016 年 IC 设计销售额衰退幅度已缩小,显见已有 IC 设计业者开始将触角转往如服务器与车用电子等其他成长动能较为强劲的市场,并有不少斩获。 `[f IK,
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展望 2017 年,由于 10 纳米制程进入量产,将为旗舰级智能手机市场带来话题,预估将带动一波销售热潮。此外,其他垂直应用如服务器、车用电子、通讯基础建设等皆成为不少全球 IC 设计业者销售额的主要成长动能。拓墣预估,若 2017 年整体经济环境稳定,全球 IC 设计销售额将可望达到 805.9 亿美元,年成长率将为 3.4%,转为正成长。 a'\fS7aE0l
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4、Dialog投资Energous 加速无线充电技术普及 D_I_=0qNd
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Dialog Semiconductor宣布策略投资Energous Corporation。Dialog已同意挹注1,000万美元投资Energous,并成为Energous无线充电技术WattUp IC元件的独家供应商,Energous则能够利用Dialog广大的销售及经销管道加速其市场普及度。 'KNUPi|
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Energous开发的无线充电技术WattUp能在空中远距供电。相较于传统的线圈技术,Energous的WattUp技术提供了独特、更加延伸的无线充电体验。WattUp使用电波射频在空中安全传输能源,以类似Wi-Fi路由器的方式,提供了更智慧的可扩充电源。 <UJ5n) }"\
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与感应或谐振无线充电系统不同,WattUp能从任何方向远距传输电力到多项装置,由此创造的无线充电体验,能转变消费者和产业为电子装置充电和供电的方式,包括居家、办公室、车上等许多空间。 ?)+I'lW!
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这次的策略结盟结合了Energous的非耦合无线充电技术及Dialog的节能技术,目的在于推展市场应用。Energous的WattUp技术使用了Dialog的SmartBond蓝牙低功耗解决方案做为无线发射器和接收器之间的频外(out-of-band)通讯通道。Dialog的电源管理技术也应用于将WattUp接收器IC端的电源分配至使用装置的其他部分,Dialog的AC/DC Rapid Charge电源转换技术则负责将电源有效传输至无线发射器。 sVIw'W
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WattUp采用的小型天线使用了装置既有的印刷电路板,省去现今竞争解决方案所需要的更大更贵的线圈。这能加速无线充电技术应用,扩散到范围更广的电池供电装置,包括智慧型手机、平板、物联网(IoT)装置、小型穿戴式装置及虚拟实境(VR)/扩增实境(AR)装置等等。藉由Dialog的量产供货及掌握一级客户的实力,销售成长速度将大幅提升。 !2]G.|5/A
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这项策略投资包含的主动战术和战略意涵,将推动客户快速采用支援WattUp的产品,并且简化晶片生产。该协议的好处包括联合行销和销售营运,包括连结Dialog的通路合作夥伴与客户群,以加速WattUp在智慧型手机、汽车和新兴物联网应用的普及。 )XD$YI
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5、两岸IC设计争霸 展讯市值估计150亿~200亿美元 e&="5.ik
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据台湾媒体报道,汇顶科技市值一度超越联发科,震撼两岸IC设计业者,随着股市蜜月行情过去,近期汇顶市值重新让出王座给联发科,台系IC设计业者指出,两岸IC设计市值竞赛趋烈,相较于汇顶年营收约4亿美元,公司市值却可飙上逾100亿美元规模,英特尔(Intel)及清华紫光入股的展讯,年营收上看15亿美元,未来市值成长空间更大,展讯竞逐两岸IC设计市值龙头的机会相当大,可能对台湾IC设计产业造成更大冲击。 ()@+QE$
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联发科对于转投资的汇顶在大陆股市挂牌,市值竟然超越自己,联发科副董事长谢清江坦言,对于这个情形并没有想法,因为大环境原本就很难控制,目前台湾股市又有流通性太低的问题,联发科只能依循既有的市场规则。 >K;C?gHo
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台系IC设计业者认为,两岸资本市场呈现形势比人强景况,双方在本益比及市值差距悬殊恐成常态,这对于人才、技术及IP知识产权一定会出现磁吸效应,中、长期而言,绝对不利于台湾IC设计产业、甚至是整个半导体产业发展。 j}DG +M
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展讯早在英特尔2014年以15亿美元入股时,公司市值便已被业界估计至少有100亿美元规模,展讯接连在2015、2016年交出营收明显成长的表现,即便获利动能并未跟上脚步,但在大陆政府力拚半导体产业自主化、大陆内需市场光环,以及大陆资本市场追逐半导体类股情况下,业界估计展讯市值应该在150亿~200亿美元之间。 k%ckV`y
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展讯原本预估2019年在大陆股市挂牌,但近期公司内部有意提前在2018年执行挂牌计划,使得两岸IC设计公司市值龙头之争再度浮上台面。尽管两岸IC设计公司市值消长,并不等同于技术、市场及公司业绩表现,或是公司短期竞争力评价,但中、长期而言,优秀的研发及管理人才开始出现移转情况,恐将是难挡的发展趋势。 |Ns[{/
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台系IC设计业者指出,一旦大陆IC设计公司在市值爆增的过程中,不断取得具高附加价值的IP智财权,甚至是极具市场竞争力的技术,有可能卡住未来台湾IC设计产业升级的任督两脉,这对于台湾IC设计产业发展,绝对是不利的消息。 KZTT2KsYl
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汇顶市值一度超越联发科,已带给台系IC设计业者不小的震撼,未来若展讯成功挂牌上市,公司市值可望轻易较联发科多出2~3倍规模,届时对于台湾IC设计业者的冲击将更大。 :mz6*0qW
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6、传苹果iPhone8测试机达10款 含OLED版 'd=B{7k@
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华尔街日报(WSJ)28日报导,苹果最快可能会在2017年推出搭载曲面屏幕的iPhone产品,据多家与苹果拥有往来关系的供应商透露,他们已被要求增产薄型OLED面板、且被要求提供比三星制OLED面板拥有更高分辨率的试作品,以期望藉此和三星的Galaxy智能手机打出差异性。 @{UtS2L
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报导指出,目前苹果测试中的iPhone 8试作机达10款以上,其中一款就是搭载OLED面板,不过苹果也未必一定会在明年推出OLED版iPhone。 k:kx=K5=4
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据多位关系人士指出,OLED版可能将是明年多款iPhone新机中的一款,不过考量生产成本,因此OLED版iPhone售价可能会比其他款机种来得高。据分析师指出,OLED面板生产成本较液晶面板高出50美元。 `zOQ*Y&
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知情人士透露,苹果初期大部分OLED面板将依赖三星供应,不过苹果已要求LG Display(LGD)、Japan Display Inc(JDI)和夏普(Sharp)扩增产能,以便在2018年供应OLED面板给苹果;其中一位知情人士指出,夏普为满足苹果OLED需求、恐需砸下50亿美元(约5,600亿日元)进行投资。 |B.tBt^
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日本智能手机评价网站sumahoinfo 11月24日转述AppleInsider的报导指出,曾多次准确预测苹果产品动向的凯基投顾知名分析师郭明錤指出,苹果预计2017年推出的iPhone可能将有iPhone 7s和iPhone 8 2种版本、总计3机种,分别为搭载4.7寸液晶屏幕的iPhone 7s、5.5寸液晶屏幕的iPhone 7s Plus以及搭载OLED面板的iPhone 8(尺寸介于5.1-5.2寸),其中4.7寸iPhone 7s可能会定位为中端甚或低端机种,价格将大幅压低。 Q68q76
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在生产的部分,郭明錤指出,鸿海(2317)将成为OLED版iPhone的主要代工厂、和硕可能独吃4.7寸iPhone 7s订单、5.5寸iPhone 7s Plus大部分订单将由纬创拿下。郭明錤并看好iPhone 7s/iPhone 8表现,预估明年下半年出货量将达9,000万支-1.1亿支。 +&hd3
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7、一加3T发布 骁龙821+高速闪充 D>Dch0{H,:
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一加今天在北京正式公布了一加3T手机,实际上这款产品已经在海外发布了,今天正式宣布在国内登录,并同时公布了价格。 Vi1=
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硬件方面,使用了骁龙821处理器,内置6GB RAM存储和64GB ROM存储,有128GB可选择,另外有薄荷金与枪灰两种色彩。后置1600万像素摄像头,前置800万像素摄像头。内置3400mAh容量电池,支持Dash高速闪充功能,支持USB-C接口。使用氢OS2.5系统。 W-+~r
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摄像头算法得到了提升,拍摄的照片更漂亮真实。系统底层经过调整优化,应用开启速度大幅度提升。 =E''$b?Em
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价格方面,一加3T手机有两个版本分别是64GB ROM和128GB ROM存储,售价为2699元和2999元,明天也就是11月30日上午10点首发。高存储版本会在12月发售。 %-eags~sUC
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8、28nm MRAM即将问世 V/}g'_E
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包括三星、东芝、海力士等公司的研究团队将在IEDM发表有关MRAM的最新发展。 ]%VR Nm
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在今年即将于美国加州举行的国际电子组件会议(IEDM)上,来自三星(Samsung)、东芝(Toshiba)、海力士(SK Hynix)等公司的研究团队预计将发表多项有关磁阻式随机存取内存(MRAM)的最新发展。 c31k%/.
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此外,三星的研发团队以及旗下LSI业务部门显然也将再次发表其致力于开发MEMS的最新成果。 J}cqBk>
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三星将分别透过口头简报以及海报展示双管齐下的方式,介绍在28nm CMOS逻辑制造制程中嵌入8Mbit自旋传输(STT) MRAM等主题。在该公司发表的论文主题中,研究人员们将这种电路形容为具有「高度功能性且十分可靠」。在其摘要中并补充:该公司采用包括创新整合、材料堆栈与图案化技术等途径,成功地将垂直式磁穿隧接面(pMTJ)内存单元数组嵌入于铜金属后端,而不至于发生开路故障,同时,磁性能也并未发生严重退化现象。 Cj x(Z]
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这种pMTJ内存单元采用氧化镁/钴铁硼(MgO/CoFeB)堆栈,可在完全整合后达到180%的穿隧磁阻值。离子束蚀刻技术用于降低至低于1ppm的短路故障;有趣的是看到离子束蚀刻技术对于生产吞吐量的影响。此外,嵌入式MRAM宏具有侧面感应边界限制,信息储存在摄氏85度下可保留达10年。 4 u!)QG
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依据制造经济来看,这可能是针对低功耗微控制器(MCU)和SoC进行选择的过程,因为它们具有切换和保留数据的能力。