下一代晶体管候选者：铁电器件的原理和巨大潜力
随着研究人员开始开发和测试下一代晶体管，铁电FET和存储器开始显现出美好前景。晶体管效率的一个衡量标准是亚阈值摆幅，即将漏极电流增加一个数量级所需的栅极电压的变化。以每十倍毫伏为单位测量，在传统MOSFET中，通过玻尔兹曼电子能量分布将其限制为kT / q。这在室温下约为60 mV / decade。
随着器件尺寸的微缩，这一限制变得更加麻烦。如果电源电压恒定，则需要越来越高的电荷密度来产生相同的电流量。
器件设计人员有两种方法可以降低亚阈值摆幅（SS）。它们可以使用具有不同物理特性的不同开关机制，例如隧道FET，或者他们可以找到一种方法来增加栅极电容，而不增加栅极电压。后一种选择促使人们对铁电晶体管（FeFET）产生极大的兴趣，铁电晶体管将铁电电容器与传统的介电栅极电容器串联。
铁电材料作为潜在的非易失性存储元件首次引起了业界的关注。铁电材料具有内置的电子偶极矩。（它们因类似于铁磁材料而得名，实际上铁电体通常不含铁。）施加足够强的电场会使材料的极化反转，并且即使在去除电场之后极化仍然存在。极化的衰减率 - 材料的滞后 - 产生“存储窗口”，其允许铁电电容器存储先前的充电状态。FeRAM设备正是基于这一行为方式。
图1：作为电场函数的铁电极化。资料来源： 维基媒体
负电容解释
在正极和负极化状态下，铁电电容表现为传统电容，具有正电容εA/ d。（A是板的面积，d是它们之间的间隔，ε是电介质的介电常数。）
正如Imec首席科学家Anne Verhulst在最近的IEEE电子设备会议（IEDM）上所做的工作中所解释的那样，切换极化会导致铁电（MFM）电容器的电荷瞬间下降。如果MFM电容与晶体管的栅极（MIS）电容串联，则该瞬态会使栅极电荷增加。所谓的“负电容”效应可以在晶体管的电压 - 电流曲线的至少一部分上产生低于60mV /十倍的亚阈值摆幅。2011 年HfO 2中铁电行为的发现使FeFET成为CMOS兼容的潜在解决方案，解决了业界最具挑战性的扩展问题之一。
也许，在FeRAM器件中如此有用的滞后有助于FeFET中的开关延迟。目前尚不清楚无滞后器件是否仍会表现出负电容效应，特别是在前沿电路所需的高开关速度下。关于负电容效应是FeFET结构的基本特征，电荷俘获的不可靠伪像，或两者的程度，一直存在争论。在IEDM，一些协议点开始出现。
优化FeFET
共识FeFET（或NCFET）结构似乎是具有TaN电极的铪 - 锆氧化物（HZO）电容器，放置在HfO 2栅极氧化物的顶部。（在一些实验研究中使用SiO 2氧化物。）东京大学的Chengji Jin及其同事发现，增加锆含量会增加电容并最终导致反铁电行为，磁滞回线顺时针而不是逆时针移动。大多数提出的装置具有大致相等量的铪和锆。
Shinji Migita（AIST，Ibaraki，日本）指出，MFM电容器中的电荷可以比MIS电容器多得多。他的组装置使用10nm厚的Hf 0.5 Zr 0.5 O 2，最大电荷密度为30μC/ cm 2，结合3.8nm厚的SiO 2，其最大电荷密度为2.7μC/ cm 2。向栅极电容注入太多电荷最多是无益的，最坏的情况是导致电介质击穿。
因此，通过匹配两个器件的电容来实现最佳结果。虽然大多数研究通过调整顶部（MFM）电容器的面积来做到这一点，但优化的生产工艺可以将两个电容器的厚度和面积视为可调参数。几个小组在区域匹配的FeFET器件中展示了无滞后的陡峭SS性能。
下一个重要的挑战是铁电极化的动力学。切换铁电电容器的极化需要有限的时间。
铁电层中的各个晶粒是二元的 - 它们在任何特定时刻都是正极化或负极化。加州大学伯克利分校的Yen-Kai Lin及其同事进行了模拟，其中铁电体是多晶的，具有一定的晶粒尺寸和开关场分布。减小开关场并增加脉冲速率 - 这两者在商业设备中都是期望的 - 可导致不均匀的铁电行为和不一致的电流。
界面和结晶质量差会引入电荷陷阱，从而在一定程度上抵消铁电行为。
超越路线图：负电容和新兴器件
虽然负电容晶体管的大部分兴趣都是针对更近点的平面MOSFET和finFET结构，但一些研究人员也将这一概念应用于新兴器件。在Imec，单晶PZT电容与InGaAs TFET的栅极串联，产生的SS值低至40 mV / decade。国立台湾师范大学的研究人员在具有HZO门的高尺度栅极全纳米片状FET中实现了更低的SS，平均22 mV / decade。最后，香港理工大学的一个小组使用HZO / Al 2 O 3叠层作为二维WSe 2晶体管的栅极，实现了最小18.2 mV / decade SS。
这些结果都表明，铁电电容器可以为任何提出的后MOSFET结构提供通用性能提升。 谢谢分享 加油
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