PW6513高压40V的LDO芯片，SOT89封装
一般说明PW6513系列是一款高精度，高输入电压，低静态电流，高速，低具有高纹波抑制的线性稳压器。输入电压高达40V，负载电流为在电压=5V和VIN=7V时高达300mA。该设备采用BCD工艺制造。PW6513提供过电流限制、软启动和过温保护，确保设备工作在井况PW6513调节器采用标准SOT89-3L封装。标准产品无铅无卤素。
特征
输入电压：4.75V~40V
输出电压：1.8V~5.7V
输出精度：<±2%
输出电流：150mA（典型值）
高达300mA@VIN=7V，VOUT=5V，
电源抑制比：60dB@100Hz
跌落电压：600mV@IOUT=100mA
静态电流：4.2μA@VIN=12V（典型）
ESD高压断路器：8KV
电容器选择：10μF
应用
智能电表
车内娱乐
电动自行车
典型应用电路
代理商：深圳市夸克微科技
郑生： 13528458039
QQ ： 2867714804
申请信息
输入电容器
VIN和GND引脚之间需要10μF的输入电容。电容器放置尽量靠近VIN引脚，建议使用电解电容器。容忍度并且必须考虑温度系数，以保证电容器工作在工作范围超过整个温度范围和工作条件。
输出电容器
在实际应用中，选择输出电容器以保证其稳定运行是很重要的。稳定和正确选择的电容为1μF。电容公差应为±30%或优于工作温度范围。建议电容器类型为MLCC。
空载稳定性
PW6513将在无外部负载的情况下保持稳定和调节。这一点尤其重要在CMOS RAM中保持活跃的应用。
典型电路
下图显示了PW6513设备的典型应用电路。外部的价值应根据应用情况仔细选择部件。在封堵应用中，因为过冲引起的芯片上电源的插入和拔出可能会损坏对于芯片，建议VIN小于30V，输入电压峰值不应超过45V
在封堵应用中，建议R、C1选用如下：
1.C1=10μF~100μF电解电容器，电压大于50V，R=0；
2.C1=1μF~10μF MLCC，电压V大于50V，1206型R=2Ω
应仔细选择电阻器，以确保有足够的余量来维持吸收浪涌电流。
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