shuszhao 发表于 2021-2-26 10:45:03

Netgear 网件 Orbi LBR20 4G LTE单体路由 开箱拆解

这是一台支持4G LTE的单体路由。与RBR20相比,LBR20的WLAN无线规格保持了和RBR20一致,即2.4G 400Mbps+5.2G 867Mbps+5.8G 867Mbps。除此之外,LBR20新增了对4G LTE蜂窝网络的支持,在4G Cat.18条件下可以达到1.2Gbps的速率。下面来看看它的表现如何

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▲LBR20可以让你的在有线宽带有限或不可用的地方,使用4G LTE连接到网络,或者在现有互联网服务出现故障时无缝切换到4G LTE

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▲技术规格


开箱

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▲包装盒正面,可以看出这是一款AC2200规格的路由。右下角的4G LTE表示这是一台支持4G蜂窝网络的路由

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▲包装盒背面介绍了Orbi LBR20本体路由的卖点

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▲打开包装盒的顶盖,首先看到的是路由使用安装指导

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▲继续打开内部包装盒,就能看到LBR20的顶部了

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▲从包装盒中取出LBR20本体路由和附件盒

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▲包装盒中附件一览,里面装有超五类非屏蔽线一根,带折叠插头的电源适配器一个,英标三孔插头一个,欧标双孔插头一个

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▲电源适配器采用了国标双孔折叠插头,输出规格为12V 2.5A 30W


外观

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▲LBR20外观和以往的Orbi系列保持一致,采用白色塑料外壳,表面是类肤质涂层。顶部是LED指示灯

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▲LBR20背面一览

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▲背后IO接口一览,从左往右分别是4G LTE天线接头,Sync同步按钮,WAN/LAN 1 RJ45端口,LAN 1 RJ45端口,DC插孔,Reset按钮,4G NanoSIM卡槽,4G LTE天线接头

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▲底部的铭牌。冷空气从LBR20底部进入,顶部散出


拆解

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▲拿开前面板就能看到内部的主板和天线了。因为加入了4G LTE的原因,LBR20的天线布局是重新设计的

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▲拆下后面板。可以看到有两根PCB天线固定在外壳上,这两根天线是4G LTE天线,用于接受4G LTE基站信号。在顶部灯罩部分,内部藏有两根5.8G天线,用于和Orbi分身无线回程;灯罩下方是两根2.4G+5.2G混合天线,开放给用户接入

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▲移去金属散热片,金属散热片采用叠加设计,两块金属使用螺丝固定在一起

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▲将PCB主板正面的金属屏蔽盖去除后一览

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▲首先是这块高通的X20基带。采用三星10nm LPE工艺制造,它可支持横跨授权与非授权FDD和TDD频谱,支持4x4(3CA)MIMO,能够同时接收最多达12路的LTE空间数据流。下行支持LTE Cat.18,最高达5x20MHz载波聚合,支持256 QAM调制,理论下行速率可以达到1.2Gbps;上行支持LTE Cat.13,2x20MHz载波聚合,支持64 QAM调制,理论上行速率可以达到150Mbps

X20支持全部主要蜂窝技术(LTE FDD、LTE TDD、WCDMA、TD-SCDMA、EV-DO、CDMA 1x和GSM/EDGE)、超过40个蜂窝频段(包括支持美国公共安全频段Band 14和600 MHz频段)、超过1000种载波聚合频段组合、LTE广播、具备EVS编解码器功能并支持超高清音质的LTE语音(VoLTE),以及通过单待语音连续性(SRVCC)到3G和2G语音的切换

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▲W634GU6NB,DDR3L RAM芯片,制造厂商是Winbond,大小512MB

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▲QCA9886,这是一款高度集成5G SoC,支持2X2 MU-MIMO,支持80MHz频宽,支持256QAM,支持的最高速率为867Mbps,这颗芯片是为了给5.8G服务。在它的左侧是2.4G功放芯片SKY85325-11,这里只有一颗,还有一颗在背面,都连接到背面的IPQ4019芯片,为2.4G提供支持

SKY85325-11规格:
发射增益:25 dB
接收增益:16 dB
输出功率:
+18.0 dBm,MCS9,HT40
+19 dBm,MCS7

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▲来到PCB主板背面,移去金属散热片

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▲将PCB主板背面的金属屏蔽盖去除后一览。在PCB主板左右两侧各有一个金属的天线,这两个金属天线用于接受4G LTE基站信号

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▲金属天线特写。当4G LTE的SMBA接头没有接上外置天线时,金属天线工作;接上外置天线时,金属天线断开

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▲4G NanoSIM卡槽可以取下

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▲CPU是高通的IPQ4019,这是一颗ARM Cortex A7 四核的SoC,支持2.4G和5G。这里为2.4G和5.2G服务。在它的左侧是5G功放芯片SKY85729-11,有两颗,都连接到IPQ4019,为5.2G提供支持

SKY85729-11
发射增益:32 dB
接收增益:13 dB
输出功率:
MCS11,+18 dBm,-43 dB EVM
MCS9,+22.5 dBm,-35 dB EVM
MCS7,+24 dBm,-30 dB EVM

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▲W29N02GVSIAF,FLASH芯片,制造厂商是Winbond,用于存放固件,大小256MB

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▲QCA8072,双端口10/100/1000 Mbps三速以太网PHY

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▲内部芯片示意图

907321 发表于 2021-2-26 14:10:54

mj8abcd 发表于 2021-2-26 19:05:14

huangweiqiao 发表于 2021-2-28 08:03:59

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yjmislucky 发表于 2021-6-16 08:49:51

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