GaN射频 PA 有望成为 5G基站主流技术
GaN射频 PA 有望成为 5G基站主流技术预测未来大部分 6GHz 以下宏网络单元应用都将采用 GaN 器件，小基站 GaAs 优势更明显。就电信市场而言，得益于 5G 网络应用的日益临近，将从 2019 年开始为 GaN 器件带来巨大的市场机遇。相比现有的硅 LDMOS（横向双扩散金属氧化物半导体技术）和 GaAs（砷化镓）解决方案，GaN 器件能够提供下一代高频电信网络所需要的功率和效能。而且，GaN 的宽带性能也是实现多频带载波聚合等重要新技术的关键因素之一。GaN HEMT（高电子迁移率场效晶体管）已经成为未来宏基站功率放大器的候选技术。
由于 LDMOS 无法再支持更高的频率，GaAs 也不再是高功率应用的最优方案，预计未来大部分6GHz 以下宏网络单元应用都将采用 GaN 器件。5G 网络采用的频段更高，穿透力与覆盖范围将比 4G 更差，因此小基站（small cell）将在 5G 网络建设中扮演很重要的角色。不过，由于小基站不需要如此高的功率，GaAs 等现有技术仍有其优势。与此同时，由于更高的频率降低了每个基站的覆盖率，因此需要应用更多的晶体管，预计市场出货量增长速度将加快。 5g发展速度不快啊~
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