台积电4纳米助攻！联发科新旗舰处理器曝光：能效或超骁
据中国台湾媒体MoneyDJ报道，联发科甩开高通（Qualcomm），从去年第三季起稳居智能手机应用处理器（AP）王者，不过联发科旗舰芯片销售仍逊于高通。如今据传最新旗舰系统单芯片（SoC），能效比高通高20%~25%，有望撼动高通独霸地位。Android Headlines、Gizmochina报导，据悉联发科计划在今年底或明年初发表旗舰芯片「天玑2000」，预料是全球首款采用4纳米制程的芯片。天玑2000能耗将比高通同级芯片「骁龙898」（Snapdragon 898）低20%~25%，让天玑2000真正挑战高通旗舰SoC的领导地位。
外传联发科将采台积电4纳米制程，并使用ARM最新V9架构和Cortex-X2 Super Core，以达最佳表现。骁龙898设计相近，不过应会使用三星4纳米制程。
联发科智能手机AP整体市占已领先高通，不过旗舰SoC仍不及高通。尽管联发科天玑系列芯片效能大幅提高，但多数代工厂推出旗舰机种时，仍偏好高通旗舰SoC。明年此情况也许将改变，这回联发科有秘密武器，能对高通造成真正威胁，时间会证明天玑2000是否真的优于骁龙898。
台积电助攻！联发科新处理器威
高通和联发科都将发表新一代的高端智能手机处理器，据传高通采用三星4纳米制程，联发科采台积电4纳米。由于台积制程表现素来优于三星，有外媒推测，联发科新芯片的能源效益可撂倒高通。
Gizmochina 9月初报导，微博爆料客@肥威透露，新一代新芯片采用台积最新4纳米制程，并运用ARM V9架构，性能更胜前代。
另一方面，知名爆料客Digital ChatStation表示，高通新一代芯片「骁龙895」或「骁龙898」将用三星4纳米制程。三星采用4纳米基本制程，据报台积电可能稍晚推出4纳米加强版。
不过Gizmochina提醒，这些都是未经证实的消息，不能全然相信。 了解一下情况 111111111
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