EEPROM使用注意事项
EEPROM(Electrically Erasable Programmable readonly memory)是指带电可编程只读存储器。是一种掉电后数据不丢失的存储芯片。中颖Flash型MCU都集成有EEPROM,EEPROM用来存放用户数据。EEROM大小可以通过option(代码选项)选择0~4K不等。EEPROM按照扇区进行划分，每个扇区的大小512字节(较早的产品，每个扇区大小256字节)，最多支持8个扇区。
中颖的EEPROM编程/擦除次数：至少100000次
中颖的EEPROM数据保存年限：至少10年
中颖EEPROM的操作原则：
1 必须关闭所有中断
如果在操作EEPROM期间，不关闭中断，可能会导致程序跑飞或者其它异常情况;中颖MCU要求对于EEPROM的擦除和编程，需要按照规定关闭所有中断(EA=0)，等到编程完成后再打开中断。
2 如何访问EEPROM
中颖芯片对于EEPROM的读、擦和写都是通过寄存器FLASHCON的FAC位置1来操作。当FAC=0时，MOVC指令或者SSP功能访问Main Block区域;当FAC=1时，MOVC指令或者SSP功能访问类EEPROM区域或信息存储区。
A7H，Bank0第7位第6位第5位第4位第3位第2位第1位第0位FLASHCON------FAC读/写------读/写读/写复位值(POR/WDT/LVR/PIN)------00
位编号位符号说明7-1-
保留位0FAC
访问控制
0：MOVC指令或者SSP功能访问Main Block区域
1：MOVC指令或者SSP功能访问类EEPROM区域或信息存储区3 操作EEPROM前，清WDT
在对EEPROM的操作前，清WDT,保证操作期间不溢出
4 抗干扰
同时，为了抗干扰，防止误操作，EEPROM编程可以参考如下例程：
uchar ssp_flag；
voidEEPromSectorErase(UCHAR nAddrH)// 扇区擦除
{
ssp_flag= 0xA5;
_push_(IEN0);//中断控制压栈
IEN0&=0x7F;//关总中断
FLASHCON = 0x01; //访问EEPROM区
RSTSTAT = 0; //清WDT
XPAGE= nAddrH<<1 ;
IB_CON1 = 0xE6;
IB_CON2 = 0x05;
IB_CON3 = 0x0A;
IB_CON4 = 0x09;
if(ssp_flag!=0xA5)//增加flag判断，增强抗干扰
goto Error;
IB_CON5 = 0x06;
_nop_();
_nop_();
_nop_();
_nop_();
Error:
ssp_flag= 0;
IB_CON1= 0x00;
IB_CON2= 0x00;
IB_CON3= 0x00;
IB_CON4= 0x00;
IB_CON5= 0x00;
FLASHCON= 0x00;//切回FLASH区
_pop_(IEN0);//恢复总中断
}
voidEEPromByteProgram(UCHAR nAddrH,UCHAR nAddrL, UCHAR nData) // 扇区编程
{
ssp_flag= 0x5A;
_push_(IEN0); //中断控制压栈
IEN0&=0x7F;//关总中断
FLASHCON= 0x01; //访问EEPROM区
RSTSTAT = 0; //清WDT
XPAGE= nAddrH;
IB_OFFSET= nAddrL;
IB_DATA= nData; // 烧写内容
IB_CON1 = 0x6E;
IB_CON2 = 0x05;
IB_CON3 = 0x0A;
IB_CON4 = 0x09;
if(ssp_flag!=0x5A) //增加flag判断，增强抗干扰
goto Error;
IB_CON5 = 0x06;
_nop_();
_nop_();
_nop_();
_nop_();
Error:
ssp_flag= 0;
IB_CON1= 0x00;
IB_CON2= 0x00;
IB_CON3= 0x00;
IB_CON4= 0x00;
IB_CON5= 0x00;
FLASHCON= 0x00; //切回FLASH区
_pop_(IEN0); //恢复总中断 了解了 谢谢 嘻嘻嘻 学习学习