可替代SPI NOR/NAND闪存方案的xSPI MRAM
Everspin MRAM解决方案供应商推出了用于工业物联网和嵌入式系统的EMxxLX xSPI MRAM非易失性存储器解决方案。该解决方案可以替代SPI NOR/NAND闪存的方案，其读写速度可以高达400MB/s，存储容量在8Mbit和64Mbit之间。Everspin此款新xSPI产品系列基于扩展的串行外设接口，这是用于非易失性存储设备的最新 JEDEC 标准。提供高性能、多 I/O、SPI 兼容性，并具有高速、低引脚数 SPI 兼容总线接口，时钟频率高达200 MHz。这些持久性内存 MRAM 设备在单个 1.8V 电源上运行，并通过八个 I/O 信号提供高达 400MBps 的读取和写入速度。更多产品相关资料咨询Everspin代理英尚微电子。
xSPI MRAM的主要亮点是400MB/s的读写速度，因为这个速度是NOR或NAND等闪存设备的数倍，在写入方面甚至更高。该产品的其他好处，比如：在编程之前无需擦除、高效写入（比NAND 低10倍，比NOR低200倍），以及可以兼容旧软件的NOR闪存模式。
https://www.sramsun.com/uploadfile/2022/0518/20220518100021432.png xSPI MRAM和SPI NOR NAND闪存对比
xSPI MRAM开启了通用存储器应用解决方案的新纪元，取代了 SRAM、BBSRAM、NVSRAM 和 NOR器件等产品，面向工业自动化、过程控制、仿真、汽车和运输、游戏以及更广泛的工业物联网市场。 了解，学习
页:
[1]
