232层3D NAND不同之处，美光将在CFMS2022揭示其持续的存储创新
232层3D NAND有何不同？美光将在CFMS2022揭示其持续的存储创新技术半导体存储芯片行业的发展是一个不断突破极限的过程。随着物联网、自动驾驶、智能工厂、元宇宙等数据密集型行业的发展，在推动着数字时代向前的同时，也对数据存储提出了更高的要求。
自1980年代NAND Flash问世以来，经历过SLC、MLC、TLC也发展到了现在的QLC，到2022年其堆叠层数更是迈进了200+层，闪存技术朝着速度更快、成本更低、容量更大的方向不断前进。同样，DRAM也引入EUV并向更微缩制程演进。
我们也看到，各大原厂都在存储技术上不断探索创新，其中：
· SK海力士已成功研发238层4D NAND，计划2023年上半年投入量产；
· 供应链消息称长江存储新一代3D闪存也达到232层；
· Kioxia/WD也公布其下一代BiCS 7的堆叠层数将达到212层；
· 有消息称三星最新236层V-NAND将于年内实现批量生产。
作为全球主要存储原厂之一的美光，更是最早宣布其下一代 232 层 NAND 闪存将于 2022 年底前实现量产。这些技术上的更迭创新又会如何引导应用需求的变化发展？
9月20日，美光集团副总裁Dinesh Bahal先生将再度在中国深圳召开的中国闪存市场峰会（CFMS2022）上发表演讲，展示美光不断持续的技术创新。
美光新推出的 232 层 NAND 基于CuA架构，单颗Die容量可达1Tb，较上一代比特密度高出45%以上，密度的增加也进一步改善了封装规格，全新11.5mm x 13.5mm封装尺寸较前几代减小28%。这些突破意味着大容量、高性能的存储产品将能搭载在更多类型的设备上。
凭借 232 层 3D NAND，美光也再一次提升了 NAND 技术的业界基准，期待该技术能掀起新一波产品创新的浪潮。对此，美光集团副总裁Dinesh Bahal先生将在CFMS2022上发表《美光持续的存储创新》的演说，探讨美光在技术上的创新突破以揭示产业未来的发展方向。
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