所谓的影响性能是并不是指SDRAM 的带宽，频率与位宽固定后，带宽也就不可更改了。但这是理想的情况，在内存的工作周期内，不可能总处于数据传输的状态，因为要有命令、寻址等必要的过程。但这些操作占用的时间越短，内存工作的效率越高，性能也就越好。
非数据传输时间的主要组成部分就是各种延迟与潜伏期。通过上文的讲述，大家应该很明显看出有三个参数对内存的性能影响至关重要，它们是tRCD、CL 和tRP。每条正规的内存模组都会在标识上注明这三个参数值，可见它们对性能的敏感性。
以内存最主要的操作— — 读取为例。tRCD 决定了行寻址（有效）至列寻址（读/写命令）之间的间隔，CL 决定了列寻址到数据进行真正被读取所花费的时间，tRP 则决定了相同L-Bank中不同工作行转换的速度。现在可以想象一下读取时可能遇到的几种情况（分析写入操作时不用考虑CL 即可）：
1、要寻址的行与L-Bank 是空闲的。也就是说该L-Bank 的所有行是关闭的，此时可直接发送行有效命令，数据读取前的总耗时为tRCD+CL，这种情况我们称之为页命中（PH，Page Hit）
2、要寻址的行正好是前一个操作的工作行，也就是说要寻址的行已经处于选通有效状态，此时可直接发送列寻址命令，数据读取前的总耗时仅为CL，这就是所谓的背靠背（Back to Back）寻址，我们称之为页快速命中（PFH，Page Fast Hit）或页直接命中（PDH，Page DirectHit）。

3、要寻址的行所在的L-Bank 中已经有一个行处于活动状态（未关闭），这种现象就被称作寻址冲突，此时就必须要进行预充电来关闭工作行，再对新行发送行有效命令。结果，总耗时就是tRP+tRCD+CL，这种情况我们称之为页错失（PM，Page Miss）。
显然，PFH 是最理想的寻址情况，PM 则是最糟糕的寻址情况。上述三种情况发生的机率各自简称为PHR— PH Rate、PFHR— PFH Rate、PMR— PM Rate。因此，系统设计人员（包括内存与北桥芯片）都尽量想提高PHR 与PFHR，同时减少PMR，以达到提高内存工作效率的目的。