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日志

终于等来了,中国7nm芯片技术获重大突破,国产芯片破局时局已到

已有 558 次阅读2021-12-23 09:09

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最近一段时间,美国频繁地利用“芯片”制裁中国华为与中兴等中国企业的事情,在国际上闹得可谓是“沸沸扬扬”甚至就连中芯国际都难逃美国的“黑手”。既然被美国在芯片上面束缚住了“手脚”,那么我国自然是要解开这些“捆绑”着手脚的束缚。于是,研制属于我们自己“国产芯片”的计划就此被提上了日程,而最近这一研制计划似乎有了一个巨大的“突破”,我们也终于等来了一个好消息。[/color]


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日前,中兴公司曾对外正式宣布5G基站的7nm制程芯片将会全面商用化,而在这句话刚宣布完不久之后,中芯国际的第二代FinFET工艺也在同一天的不同时间曝光出了新进展,根据《珠海特区报》的报道显示,芯动科技已经全面完成了全球首个基于中芯国际FinFET N+1工艺的芯片流片与测试,该工艺将是由国内全面自主研发生产并测试通过。[/color]
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关于该工艺,中芯国际联合CEO梁孟松曾对记者解释过,该工艺虽然不是真正意义上的7nm工艺,但是这个由中芯国际研制的N+1工艺,其无论是在功率方面还是在稳定性方面都和现有的7nm工艺十分相似,并且跟现有的7nm工艺相比较的话,该工艺还有一个最大的主要优势,那就是不需要EUV光刻机。[/color]


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当然,这系列工艺还是有缺点的,例如在性能方面的提升就远远不够,所以,以目前的情况来看,N+1工艺是面向低功耗领域的工艺。不过对于中国来说,此次芯动科技基于中芯国际的先进工艺所研制的芯片的测试成功,意味着中国未来将会在芯片方面彻底拥有自主知识产权,并且在面对来自外国的“卡脖子”中,中国也将可以全面应付。[/color]
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与此同时,此次的测试成功也对外宣布了,中国在7nm制程芯片上的研发以及制造技术已经取得了巨大的成功与突破。不过中芯国际早在一个月前的“上证E互动”回答投资者的问题时就曾透露过一个好消息,当时中芯国际表示该工艺已经进入到了客户导入阶段,并且将有希望于2020年年底进行小批量试产。[/color]


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虽然当时中芯国际并没有发表官方声明证明N+1就是7nm工艺,但是外界曾一度有过相关的猜测,而现在中芯国际则证实了这一早先的猜测。目前英特尔的10nm工艺制程的产品才刚上市不久,对于7nm的研究,英特尔现在也是寸步难行,而随着中芯国际在该工艺上的研制成功,未来中芯国际甚至有可能会超越英特尔。[/color]


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其实这样的发展也是必然的,要知道美国曾频繁地利用芯片卡我们的“脖子”,而对于我们来说自研芯片就是最好的出路。现在距离年底的小批量试产已经不久了,希望我国在未来能彻底打破来自美国的“制裁”。现在对于我国来说是最为关键的时候,甚至可以说国产芯片破局时局已到,这有助于我们在芯片领域彻底解决“卡脖子”问题。(豆豆)[/color]

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