如何选择符合振荡频率的线圈？

shuszhao

线圈的选择

开关频率不同的话，最佳L值也不同，因为线圈的电流与FET的ON时间成正比，与L值成反比。

线圈引起的损失表现为线圈的绕线电阻RDC、铁氧体磁心产生的损失等的合计值。不过对于2MHz左右的开关频率，可以认为线圈的大部分损失是RDC引起的损失，首先应选择RDC小的线圈。但是为了减小RDC而选择L值过小的线圈的话，在FET为ON的时间内电流值过大，FET、SBD、线圈产生的热损失变大，效率下降。而且，因电流增加，纹波也增大。

相反，L值过大的话，RDC变大，不仅重负载时的效率变差，而且铁氧体磁心发生磁饱和，L值急速减少，这样就不能发挥出线圈的性能，陷入电流过大引起发热的危险状态。因而，为了在L值大的线圈流经大电流，形状上必须有一定程度的大小，以避免磁饱和。

综上所述，从相对于开关频率的外形尺寸和效率两个方面来考虑的话，适当的L值已被限定。表5所示为各开关频率值的标准L值。 为VIN，VOUT在6V 以下的参考数据。

表5 相对于开关频率的标准L值与额定电流值

                               
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图12、图13所示是图14所示的XC9104D093（升压）电路图12所示的是图13的XC9104D093升压电路的效率图, 出示只变更L值的效率变化。

同样，图14、图15所示是图16所示的XC9220A093（降压）电路的效率和纹波的实例。

两个实例都是线圈结构相同时，增大L值则最大输出电流值减少，轻负载时的效率增大，纹波减少。由此可知选择与输出电流相适应的L值是非常重要的。

                               
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图12. L值与效率的关系
（升压时:XC9104D093）

                               
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图13. XC9104D093
图12的测试电路

                               
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图14. L值与效率的关系
（降压时:XC9220A093）

L：VLF10045T（L：VLF10045T（22µH、33µH、47µH）

                               
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图15. L值与纹波的关系
（降压时:XC9220A093）

L：VLF10045T（22µH、33µH、47µH）
CL：22µF、Tr：2SJ616

                               
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图16. 图14、图15
XC9220A093的测试电路(PWM=CE=VIN)

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