各家64L与72L 3D NAND闪存单元数组效率比较 (来源:TechInsights)
SK Hynix 72L NAND闪存的位密度为3.55 Gbits/mm2,高于Samsung/WD之64L芯片;而美光/英特尔(Micron/Intel)的64L 3D NAND芯片是4种解决方案中位密度最高的,主要是因为采用名为CuA (CMOS under the array)的独特砖式(title)布局。
64L与72L 3D NAND内存产品的垂直单元效率 (来源:TechInsights)
SK Hynix先前的36L与48L产品是采用单步骤蚀刻工艺来制作分别为43个与55个闸极总数的通道电洞(channel holes);新一代的72L内存单元则是采用两步骤蚀刻工艺来制作通到电洞。在管线闸极上,较低的42个闸极以及较上方的40个闸极,分别是以两个不同的蚀刻步骤形成。而狭缝(slits)与子狭缝(sub-slits)则是以单步骤蚀刻形成,工艺整合程序如下: