NAND01GW3B2CN6E小知识

NAND01GW3B2CN6E小知识

特征
■高密度NAND闪存
- 用于2 Gbit内存阵列
- 为大容量存储应用提供有效的解决方案
■DNAND接口
- x8或x16bus宽度
- 多路复用的地址/数据
- 适用于所有密度的兼容性
■供电电压：1.8V / 3.0V
■页面大小
-x8设备：（2048 + 64备用）字节
-x16设备：（1024 + 32备用）字
■块大小
-x8设备：（128K + 4K备用）字节
-x16设备：（64K + 2K备用）字
■NAND01GW3B2CN6E页面阅读/程序
- 随机访问：25us（最大）
- 顺序访问：30ns（分钟）
- 页面编程时间：200us（典型值）
■复制回程序模式
■缓存程序和缓存读取模式
■快速块擦除：2ms（典型值）
■状态寄存器
■电子签名
■芯片启用'不关心'
■序列号选项
■数据保护
- 硬件锁定
- 电源转换期间锁定硬件程序/擦除
■数据完整性
-100,000个编程/擦除周期
-  10年数据保留
■ECOPACK封装@
■开发pment工具
- 错误修正代码模型
-Bad Blocks Management和Wear Leveling algo rithms
- 硬件仿真模型