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对于要求高精度和高分辨率的数控可变直流电压源来说,脉宽调制(PWM)是可使用的最佳转换方法。PWM方法已广泛用于开关电源,尤其是对于直流校准器,它可以实现26位分辨率和0.2ppm的线性度。
对于要求高精度和高分辨率的数控可变直流电压源来说,脉宽调制(PWM)是可使用的最佳转换方法。PWM方法于50年前发明1,2,如今已广泛用于开关电源3,尤其是对于直流校准器4,5,这种方法可以实现26位分辨率和0.2ppm的线性度6。
PWM数模转换器(DAC)是系统的核心,它定义了脉冲序列中的直流分量,并具有固定的周期和可变的占空比。从理论上讲,这类信号的直流分量为:
通用PWM方程:VDC = (VP∙tP)/T (1)
其中:VP是脉冲幅度,tP是脉冲持续时间,T是信号周期。
为了加快转换过程,现代DAC使用了由积分器和S/H(采样保持)电路组成的同步低通滤波器。在每个周期结束时,积分器的电压都会存储在S/H电路中,这就是整个转换器的输出电压。
一些转换器在S/H电路的输出和积分器之间使用了反馈电阻。为了获得快速准确的转换,必须使两个时间常数与脉冲序列的周期相等。参考文献2明确说明了RF*C = T的需求。第二个需求RI*C = T没有进行讨论,但可以通过将上述通用PWM方程代入该文公式4而轻松求得。
调整两个时间常数归结为调整积分电容器C或脉冲序列的周期T。两种方法都面临一定的困难。最重要的细节是,没有方案表明应如何自动地进行调整。
这篇设计实例提出了一个电路和一个简单步骤,填补了空白——使用这种方法仅需进行一次调整。它不是对时间常数,而是对积分器的充电电流进行调整,从而可提供更好的分辨率和线性性能。
图1说明了这一概念。在输入脉冲期间,开关S断开,积分电容通过两个电流充电。第一个电流I1 = VP/R1来自脉冲序列,它是标称电流的95%。第二个电流来自辅助DAC,它提供0至10%的标称电流,从而为积分器电压的斜率提供±5%的调节范围。在脉冲结束时,积分器的电压存储在S/H单元中,积分器通过将开关S闭合来放电。
图1:辅助DAC为积分器的充电电流提供±5%的调节范围;比较器可帮助微处理器为DAC选择合适的数字。
将适当的数字写入DAC,可设置第二个电流的值。可使用逐次逼近技术分别定义数字的每一位。调整标准来自公式1:当占空比为50%时,输出电压必须为输入脉冲幅度的一半。电阻器R3和R4以及比较器Cmp可告诉微处理器输出电压与所需值的接近程度。
图2给出了硬件。它的工作由一个时序电路控制,该时序电路包含G1到G4四个门,可以为Q1、复位积分器开关和S/H单元内部的存储开关生成脉冲。
图2:完整的硬件使用时序电路(G1-G4)控制积分器和S/H工作,使用放大器(IC4a)提高比较器灵敏度,并使用电平转换器(Q2)将比较器输出连接到微控制器。
如图3的时序图所示,VG4在PWM信号的上升沿变为高电平。复位开关Q1打开,使积分器产生负斜坡。在PWM脉冲的下降沿,G1和G2产生一个10µs的触发脉冲,使S/H电路捕获积分器电压。G3将VPWM和VG2脉冲相加,在完成积分和存储之前,保持复位开关断开。在存储脉冲结束时,开关接通。积分器复位为零,等待下一个PWM脉冲。
图3:前两个转换周期中电路关键点的时序图。
理想情况下,当脉冲幅度为5V且占空比为50%时,输出电压应为-2.5V。校准首先是在微控制器(MCU)内配置PWM系统,产生具有1kHz频率和50%占空比的脉冲序列。然后,MCU将二进制数“100000000000”发送到DAC,并等待RstInt脉冲的下降沿。当下降沿到来时,微控制器读取比较器输出。R3-R4网络和IC4将VOUT与-2.5V的理想值进行比较。如果VOUT比-2.5V正,则比较器输出为0,也就是说DAC数字的第一位必须变为0;否则,该位保持预设值1。然后,微控制器向DAC发送数字“x10000000000”,并根据比较器的反应调整第二位的值。第三个数字是“xx1000000000”,在定义完DAC数字的所有12位之前,该过程继续进行。
图4演示了实际的校准过程。黄色迹线标出了该过程的开始——它发生在RstInt脉冲的下降沿。蓝色迹线是IC4a的输出信号;它在零电压的两侧反弹并逐渐到达零电压。零值表示S/H电路的输出电压是宽度已调脉冲幅度的一半。4.5位数字万用表测量的实际比率为0.49947。使用专业制造的pcb和高分辨率万用表可能会实现更好的匹配。
图4:逐次逼近法可使输出逐渐逼近VP/2的期望值。
校准完成后,MCU可以根据客户设置调整PWM信号的占空比。正确设置积分器斜坡的斜率后,只需要经过一个周期的脉冲序列,输出端就会出现新的电压。根据理论定义,输出电压将精确等于PWM信号中的直流分量,并且不会产生纹波。重要的是,转换器可以随时完全自动地实现校准。
专家提示:为了获得最佳的调节精度,请使用专用的参考电压而不是+5V电源。应确保R3/R4之比尽可能接近2:1,并且IC2和IC4的失调电压尽可能低。R1和R2是1%的金属膜电阻器。C1是具有低介电吸收率的2%的电容器。开关晶体管Q1应具有较小的RON电阻。本设计也可以使用更高分辨率的DAC。 |