嵌入式MRAM关键应用与制造商

英尚微电子

STT-MRAM越来越多地被广泛用于嵌入式内存应用之中，STT-MRAM 具有的高存储密度、低能耗、低误率等优势使其有着巨大的优势。以取代闪存、EEPROM和SRAM，有多家逻辑组件IDM /晶圆代工厂正在提供嵌入式STT-MRAM解决方案：其中还包括台积电(TSMC，22nm ULL CMOS)、三星(Samsung，28nm FD-SOI)、GLOBALFOUNDRIES (22nm FD-SOI)、英特尔(Intel，22nm FinFET)。

从目前的市场角度来看，虽然现在的NAND和DRAM在未来几年占据主导地位,但是

MRAM

预计将会有显著成长。根据市场研究机构报告，到2024年的STT-MRAM市场可望达到 18亿美元规模(包括12亿美元规模的嵌入式方案，以及约6亿美元的独立组件)，2018到2024年间的复合年成长率为85%，总产量超过30万片晶圆(wafer production volume)，同期间复合年成长率为126%。

                               
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MRAM市场报告

未来我们将会看到嵌入式

STT-MRAM

出现在诸如物联网(IoT)、微控制器(MCU)、汽车、边缘运算和人工智能(AI)等应用中。美国Everspin还提供了几种独立的MRAM产品，锁定包括航天、汽车、储存、工厂自动化、IoT、智慧能源、医疗和工业机器控制/运算等应用。英尚微电子作为

EVERSPIN

授权的总代理,不断给市场提供高质量的MRAM芯片,在数据中心和云存储，业汽车和运输市场中提供MRAM和STT-MRAM产品。

Everspin  STT-MRAM  256Mb

Density	Org.	Part Number	Voltage	Speed	Package	Pack/Ship
256Mb	16Mb x 16	EMD3D256M16G2-150CBS1T	1.5v +/- 0.075v	1333	BGA	Tray
256Mb	16Mb x 16	EMD3D256M16G2-150CBS1R	1.5v +/- 0.075v	1333	BGA	Tape and Reel
256Mb	16Mb x 16	EMD3D256M16G2-150CBS2T	1.5v +/- 0.075v	1333	BGA	Tray
256Mb	32Mb x 8	EMD3D256M08G1-187CBS2T	1.5v +/- 0.075v	1066	BGA	Tray
256Mb	32Mb x 8	EMD3D256M08G1-150CBS2T	1.5v +/- 0.075v	1333	BGA	Tray
256Mb	16Mb x 16	EMD3D256M16G2-187CBS2T	1.5v +/- 0.075v	1066	BGA	Tray
256Mb	16Mb x 16	EMD3D256M16G2-150CBS2R	1.5v +/- 0.075v	1333	BGA	Tape and Reel
256Mb	32Mb x 8	EMD3D256M08G1-187CBS2R	1.5v +/- 0.075v	1066	BGA	Tape and Reel
256Mb	32Mb x 8	EMD3D256M08G1-150CBS2R	1.5v +/- 0.075v	1333	BGA	Tape and Reel
256Mb	16Mb x 16	EMD3D256M16G2-187CBS2R	1.5v +/- 0.075v	1066	BGA	Tape and Reel
256Mb	32Mb x 8	EMD3D256M08G1-150CBS1	1.5v +/- 0.075v	1333	BGA	Trays
256Mb	32Mb x 8	EMD3D256M08G1-150CBS1T	1.5v +/- 0.075v	1333	BGA	Tray
256Mb	32Mb x 8	EMD3D256M08G1-150CBS1R	1.5v +/- 0.075v	1333	BGA	Tape and Reel
256Mb	16Mb x 16	EMD3D256M16G2-150CBS1	1.5v +/- 0.075v	1333	BGA	Trays

英尚微电子

STT-MRAM越来越多地被广泛用于嵌入式内存应用之中，STT-MRAM 具有的高存储密度、低能耗、低误率等优势使其有着巨大的优势。

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梅兰里

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kingweison