马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区
您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?立即注册
×
▲包装正面 ▲包装背面 ▲包装侧面1 ▲包装侧面2 ▲开盒 ▲这次Plextor在SSD上做了一点改动,就是将SSD标签贴在背面的裸板上,以往是贴在正面的闪存上. ▲这么做最大的好处是消费者可以一眼看清楚闪存主控和缓存型号,坦坦荡荡,明明白白。 ▲背后的标签可以看出容量512GB,固件版本1.01,生产日期是2019年10月16日 ▲SSD正面很清晰,两颗256GB单颗闪存,一颗512MB LPDDR3L缓存,一颗主控 ▲主控:MARVELL 88SS1092 ▲缓存:NANYA NT6CL128M32CM-H1 ▲闪存:Kioxia TH58LJT1T24BAEF(BICS4) x2 产品解析
关于Kioxia BiCS4
▲Kioxia BiCS4闪存除了堆叠层数相比上一代BiCS3的64层增加到96层之外,BiCS4还首次应用了Toggle 3.0闪存接口,并由此带来了带宽与节能方面的优化。 ▲Toggle 3.0接口传输带宽从2.0的533MT/s提高到800MT/s(使用TSOP封装时为400MT/s),这意味着使用了Toggle 3.0的BiCS4闪存比BiCS3闪存速度快。 工作电压则从BiCS3的3.3/1.8V降低至1.8/1.2V,这意味着使用了Toggle 3.0的BiCS4闪存比BiCS3更低功耗,从而带来更多温度上的优势。 ▲3D闪存将原本平面排列的记忆单元改为垂直方向,不同层面之间通过穿孔联系起来,这个构造我们叫做Die,Kioxia TH58LJT1T24BAEF中96层堆叠的3D闪存单Die容量为32GB。 ▲构造Die只是构造闪存的第一部分,第二部分还要多层叠Die,最终单个闪存颗粒可得到更大的可用容量,KioxiaTH58LJT1T24BAEF就是8Die堆叠而成,所以最终容量为32GBX8=256GB,但是这颗NAND是2CE的,BiCS4和BiCS3有一个较大的区别在CE上,我们拿两颗NAND对比一下: Kioxia TH58TFT1T23BAEF(BICS3)/256GB/8die/4CE Kioxia TH58LJT1T24BAEF(BICS4)/256GB/8die/2CE 同容量的BiCS4 NAND的CE数量只有BiCS3的一半,其实也好理解:主控可接驳的CE数量是有限的,缩减NAND的CE,能让目前的主控可以不修改或者小幅修改就可以把SSD容量从最大2TB做到翻倍乃至更大。 ▲第三部分是封装这些颗粒,过原厂检测,通过检测后才会打上原厂标志,成为原装闪存出货。
▲Marvell 88SS1092主控内部集成了三核ARM Cortex-R5 Cpu,主频500M,支持8通道,每通道支持最大8CE,总共最大支持64CE。 关于Marvell 88SS1092和前代M9P使用的1093主控,从构架图来看是看不出任何区别的,功能也基本一致,唯一被书面化的区别是DRAM支持容量,1092支持8GB,而1093支持2GB,从这点可以粗略判断出,1092支持的NAND容量大致在8TB左右,而1093则2TB到顶。随着BiCS4乃至BiCS5的NAND堆叠层数越来越多,所以单Die容量越来越大,这就导致单颗NAND的容量越来越大,所以单盘8TB可能很快到来,未雨绸缪,厂家也不得不放弃1093而转向1092主控的调试,提前进入大容量SSD的战备中去,这也是1092主控存在的价值和意义。 那么我们又要说了,其实做Marvell调试研发很不简单,这是一条极其冗繁艰苦的事情,更多的厂家会选择Phison或者SMI的交钥匙方案,但是对于产品的所有保障完全依赖于Phison和SMI是不现实的,尤其是Phison会常态化超前推出产品,这导致缺乏大量市场应用验证而常态化发生兼容问题。所以坚持独立对Marvell进行调试研发有几点好处: 1、提升RD团队的素质同时提升自我解决问题的能力。 2、为消费者提供更多的Bug修复能力以及应用保障。 那么业界对marvell主控做到完整深度研发的厂家其实本应该有三家:Liteon/Plextor、WD/SanDisk、Tigo/Kimtigo。可惜Tigo的李总夜赴台北与Phison潘总竞争强行收购的Unigen研发团队并没有被深度重视和发掘价值,所以我们见到的高质量产品大部分来自前两家。 ▲我们刨除交钥匙方案,真正去做主控适配BICS4 NAND的厂家其实更喜欢Marvell有如下几个原因: 1、1093主控在市场被调试的炉火纯青,从MLC一路走到2D TLC再到3D TLC,基本的难点都被攻克了,市场反馈也是比较良好,SoC的性能也是够的,所以升级版的1092在调试难度上不会有太多变化,基本就是一个传承而已,大部分的厂家都能相对容易把项目开发从1093迁移到1092上去,省心省时省力。 2、Marvell和Kioxia以及WD的深度合作关系,Marvell其实已经为SanDisk和Toshiba代工定制SSD主控很多年了,这两个品牌很多企业级和消费级的SSD使用的都是打磨过Logo的Marvell主控,所以对于这两家的NAND,Marvell具备更多的研发和调试经验。 这两点是Marvell最大的优势,且短时间内很难被取代,包括群联和联芸其实也在跟进NAND厂家做出了很多的努力,但是比Marvell就是慢了一步,这一步直接影响市场占有率问题。更重要的是SSD厂家对稳定性是有依赖惯性的,经过这么多年市场考验的1093已经巨硬,比如Plextor和Sandisk花费了很多的研发资源在这颗主控上面,自然不会轻易的调转船头去为其他主控做市场验证,直接使用1092主控会大幅降低研发周期和测试周期,大大缩短产品立项到产品上市之间的时间。 对于DRAM缓存的选择上,其实我认为即使支持DDR4,厂家还是更倾向于DDR3,原因是1093+DDR3已经调试得非常成功了,没理由也没必要去浪费时间验证1092+DDR4的方案,沿用既往成功的方案会更加明智。 那么是不是没有厂家去研发1092+DDR4的组合呢?其实有,但是他们会打磨掉1092字样另标自家主控的LOGO,原因很简单,因为他们消耗了很多的研发成本在这套方案里,所以并不希望自己的方案被别家使用,所以尽可能掩盖1092主控的相关信息并且严格保密,比如WD/SanDisk,所以导致我们市面上看到的1092配的都是DDR3,但是我又要说道但是了,DDR4的1092方案的兼容性,从研发开始稳定性各方面都是需要验证的,研发完毕到了市场端这边一样也需要验证,这将需要相当长的时间,而且需要不停的观察和修复FW,这需要强大的RD团队去跟进,需要投入很多的资源,而且初期的效果并不一定好。 把这些问题弄清楚,也就清楚了厂家为什么这么做! 下面说一下Pcie4.0X4的主控,其实市场多见的是群联的E16主控,其实E16主控就是E12主控使用了4X4的界面而已,并没有更新,但是却带来了巨大的发热量和功耗,稳定性也相对E12降低不少,可以说群联确实抢先首发4X4赚了眼球,但是其实产品稳定性还是有待考量的! 然后就是最值得期待的三星980系列4X4的产品,其实Marvell也有一款主控对应4X4,代号为Whistler,可能会由金士顿首发。 测试平台
配置: CPU:Intel Core I9 9900K 主板:Asus ROG Strix Z390i Gaming 内存:Gskill DDR4 3200 C16 Triden Z 16GBX2 M.2:Plextor M9PeGN 512GB M.2:Plextor M9PeGN Plus 512GB 散热:Noctua NH-D9L 显卡:Asus PH RTX2060 O6G 电源:FSP MS600
WINDOWS测试部分
SMART
▲CrystalDiskiinfo 8.4.2检测的SMART信息
Plextool
很多同学问如何在WIN10下方便的进行Secure Erase,对于Plextor的NVME产品使用Plextool NVME ver2.0就可以,别看是个2018年的产品,也没有迭代版本,但是完美支持2019年发布的Plextor M9PeGN Plus。 ▲重启后即可回复到FOB开盒状态。 ▲基本参数 ▲SMART检测部分和CrystalDiskiinfo是一致的 ▲因为这次使用的Marvell 88SS1092主控使用了NVMe 1.3的协议,所以加强了电源管理方面,上图可以看到PS0-PS4就是5个节能状态,PS0 0.01W、PS1 0.07W,PS2 3W,PS1 4.5W,PS0 8W,基本可以对SSD在睡眠,唤醒,待机,轻载,满载下的功耗进行较为细致的控制。 ▲系统信息 官方参数标定验证
▲M9PeGN 512GB的官标性能我相信很多人测试过,但是估计没一个人能摸到随机读写的IOPS极限,测试条件很关键,首先官方说他们使用的测试工具是CrystalDiskMark 5.0.2 和 IOmeter 1.1.0,测试硬件Z390,操作系统WIN10专业版X64,自己也可以尝试测试所有QD深度和T线程数,可以摸到了这个极限,如下图: ▲CrystalDiskMark 5.0.2的持续读写使用QD32T1的默认设置,随机读写使用QD32T8的条件,可以非常接近官标所标识的UP TO的最大值: Sequential Read [持续读取](Q= 32,T= 1) : 3444.874 MB/s Sequential Write [持续写入](Q= 32,T= 1) : 2225.532 MB/s Random Read 4KiB [4K随机读取](Q= 32,T= 8) : 1560.475 MB/s [380975.3 IOPS] Random Write 4KiB[4K随机写入] (Q= 32,T= 8) : 1249.229 MB/s [304987.5 IOPS] 这个数值已经达标官标的UP TO最大值。这里的持续读写效能还是相对比较好获取,而这里的随机读写却要受到四个因素影响: 1、QD深度 2、测试中使用的CPU线程数 3、CPU主频 4、主板芯片组的NVME磁盘效能 简单来说,主板芯片组的nvme磁盘效能越好,CPU的主频越高,所获得的随机写入速度往往越高,这里测试所使用的线程数其实并不是开越多越好,开多开少都会产生IOPS的下降,对这个盘而言只有T8线程才是刚刚好。QD深度也是一样,开多开少一样会影响IOPS,所以官标的这个UP TO的最大值才可以溯源。 |