Everspin MR2A16Axxx35可替换赛普拉斯CY14B104NA-BA

英尚微电子

用Everspin的MR2A16Axxx35 MRAM替换赛普拉斯CY14B104NA-BA/ZS45XI nvSRAM


用MRAM替换nvSRAM的一般注意事项
每次使用MRAM进行写操作都会立即保持至少20年的非易失性。没有数据从易失性存储单元传输到非易失性存储单元，也没有外部电容器或备用电池。消除了外部组件，高度可靠的数据保留以及35ns SRAM兼容的读/写访问时间，使Everspin MRAM成为替代Cypress CY14B104NA-BA / ZS45XI nvSRAM的可行选择，而不会影响系统性能。


EVERSPIN内存
Everspin是商业上可行的MRAM技术的全球领导者，Everspin MRAM产品出现在数百个需要高速，可靠，非易失性存储器的应用中。


MR2A16A与CY14B104NA的比较
Everspin MRAM解决方案提供：
•始终非易失。没有不可靠的电容器相关备用周期
•不需要Vcap或Vbatt
•立即断电（<1ns），无数据丢失
•没有复杂的软件存储/调用例程
•快速启动时间（2ms和20ms）
•无限的读写周期-无磨损问题
•20年数据保留，无循环依赖
•更少的组件意味着更小的设计尺寸和更低的BOM成本
•直接替代赛普拉斯NV-SRAM


兼容性
Everspin MR2A16AxYS35（44-TSOP2）和MR2A16AxMA35（FBGA）存储器的引脚，时序和封装分别与CYPRESS CY14B104NA-ZS和CY14B104NABA nvSRAM兼容。


时序兼容性
Everspin MRAM和nvSRAM都具有标准的兼容异步SRAM时序。但是MRAM即使在断电后无限制的时间和整个温度循环中也可以保留数据。 MRAM具有35 ns的读/写周期时间，与类似的nvSRAM速度等级选项兼容。


请务必注意，Everspin MR2A16Axxx器件至少需要12ns的保持时间，从写使能（和芯片使能）高到地址无效。大多数微处理器可以容纳这个保持时间。


英尚微电子Everspin MR2A16Axxx35x系列型号表格

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp	MOQ(pcs)/ T&R
4Mb	256Kx16	MR2A16AYS35	44-TSOP	3.3V	Commercial	1,500
4Mb	256Kx16	MR2A16ACYS35	44-TSOP	3.3V	Industrial	1,500
4Mb	256Kx16	MR2A16AVYS35	44-TSOP2	3.3V	Extended	1,500
4Mb	256Kx16	MR2A16AMYS35	44-TSOP2	3.3V	AEC-Q100 Grade 1	1,500
4Mb	256Kx16	MR2A16AMA35	48-BGA	3.3V	Commercial	2,000
4Mb	256Kx16	MR2A16ACMA35	48-BGA	3.3V	Industrial	2,000
4Mb	256Kx16	MR2A16AVMA35	48-BGA	3.3V	Extended	2,000

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