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[供应] 知道时序与频率有区别?哪个对内存性能影响大?宏旺半导

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发表于 2020-6-22 15:23:39 | 显示全部楼层 |阅读模式

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       众所周知,内存在电脑运行中发挥着不可或缺的桥梁作用。如今,大家在购买内存时,很多人会关注它的容量与价格,但是影响内存的关键两个因素:频率和时序,你是否真的了解呢?

内存频率,内存主频和CPU主频一样,习惯上被用来表示内存的速度,它代表着该内存所能达到的最高工作频率。内存主频是以MHz(兆赫)为单位来计量的。内存主频越高在一定程度上代表着内存所能达到的速度越快。内存主频决定着该内存最高能在什么样的频率正常工作。

如今通常使用的内存为2400MHz,这是比较大众化的选择,而高端游戏玩家则会选择更高的3000MHz甚至3600MHz频率的内存给游戏带来更高的体验。但是宏旺半导体这里需要强调一下,购买内存并不是越高频率越好,主要还是看适合不适合自己的电脑。如果你的主板最高只支持3000MHz频率,而你花高价购买了4000MHz频率的内存, 这就是一种浪费。

而内存时序,之前宏旺半导体说过,是描述同步动态随机存取存储器(SDRAM)性能的四个参数:CLTRCDTRPTRAS,单位为时钟周期。它们通常被写为四个用破折号分隔开的数字,如16-18-18-36。宏旺半导体了解到,第四个参数经常被省略,而有时还会加入第五个参数:Command rate(命令速率),通常为2T1T,也写作2N1N


把内存存储的地方想象成格盘,每个方格都存储着不同的数据。CPU需要什么数据,就会向内存发出坐标指令(即CASRAS),内存则根据坐标将数据找出来(这一过程也称为“寻址”),提供给CPU进行运算。从CAS指令发出到内存接收指令开始执行的这段等待时间,就被称为“CL”。寻址时,内存要先在格盘中确定行(Row),再确定列(Columns)。内存访问到这一行这一列所需要等待的时间。就是“tRCD”。

内存时序的参数影响随机存储存储器速度的延迟时间,较低的数字通常意味着更快的性能,所以在同代同频率的情况下,内存时序越小越好,一般情况下大家只需要看内存时序中的第一个数字,也就是CL值,数字越小越好。

宏旺半导体总结下来就是,其它条件相同的情况下,频率越高、时序越低的内存条,性能越强。以宏旺半导体推出的8GB DDR4 SODIMM商用系列为例,由专业研发团队自主开发设计,是一款高性能、高质量的产品,工作电压为1.2V,工作温度0℃至70℃,260 - pin SODIMM封装,2666 Mbps速率,拥有高容量、高性能等优势,以及可靠性保障,满足了当前PC、电脑、电视等主流市场的需求。

所以一个好的内存条应该要满足:低时序,高容量,高频率这三个条件,至于RGB,那就是光污染玩家的喜好了。

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