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意法半导体STM32F7系列MCU采用高性能的ARM Cortex-M7核心,借助ST的ART Accelerator™和L1缓存,STM32F7微控制器可提供Cortex-M7内核的最高理论性能,而无论代码是从嵌入式闪存还是由外部存储器执行的:1082 CoreMark / 462 DMIPS在216 MHz f CPU。带有新外围设备的智能架构。可利用STM32系列丰富的外设资源来外扩 | SRAM芯片
意法半导体MCU STM32F7系列释放了Cortex-M7内核,AXI和多AHB总线矩阵,用于互连内核,外围设备和存储器。具有高达2MB的嵌入式闪存,在某些设备上具有读-写功能。两个用于以太网的通用DMA控制器和专用DMA控制器(在某些变型中),高速USB On-The-Go接口和Chrom-ART图形加速器(在某些变型中)。外设速度独立于CPU速度(双时钟支持),允许更改系统时钟而不会影响外设操作,甚至更多的外设,例如支持SPDIF输出的两个串行音频接口(SAI),支持SPDIF输入的三个I²S半双工接口,两个具有专用电源的USB OTG接口和双模式Quad-SPI Flash存储器接口,具有分散架构的大型SRAM。 |
英尚微电子推荐一款可以用SPI接口进行外扩的SRAM芯片,VTI7064是 | Vilsion科技公司推出的一款串口的SRAM芯片,这款VTI7064的特点就是引脚少,SOP-8封装,工作电压为1.8/3.0V,容量64Mbit可以满足大部分应用的需求,对于STM32系列单片机来说I/O的占用是很少的,几乎市面上绝大部分单片机ARM都可以方便外扩 | SRAM
①支持三种工作模式:间接模式、状态轮询模式和内存映射模式 |
②支持双闪存模式,可以并行访问两个FLASH,可同时发送/接收8位数据 |
③支持SDR (单倍率速率):和DDR (双倍率速率)模式 |
⑨在达到FIFO阈值、超时、操作完成以及发生访问错误时产生中断 |
②状态轮询模式:周期性读取外部FLASH状态寄存器,当标志位置1时会产生中断(如擦除或烧写完成,产生中断) |
③内存映射模式:外部FLASH映射到微控制器地址空间,从而系统将其视作内部存储器。 |
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