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MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起,同时始终保持非易失性和高能效。Everspin MRAM可以抵抗高辐射,可以在极端温度条件下运行,并且可以防篡改。这使得MRAM适用于汽车,工业,军事和太空应用。Everspin总代理英尚微电子提供技术支持产品解决方案。 |
Everspin
MRAM非易失性存储器几乎可以在任何汽车系统中提高性能并降低成本 |
•提供AEC Q-100合格的1级(-40 / 125°C)和3级(-40 / 85°C) |
保护有价值的数据并降低成本MRAM内存是保留宝贵的车辆数据,简化设计并降低BOM成本的最佳解决方案。 |
无遗漏数据,写入速度与SRAM一样快,非易失性,无磨损,电源故障期间无数据丢失 |
MRAM像SRAM一样是快速写入的,而像Flash一样也是非易失性的,但是不需要页面擦除或长写入周期。事件数据可以以总线速度保存到MRAM,并且即使意外断电或掉电也可以保持持久性。 |
Everspin AEC认证的汽车应用MRAM
汽车应用Serial MRAM
Density | Org. | Part Number | Pkg. | Voltage | Temp | Order Multiple /Tray | MOQ / T&R | 256Kb | 32Kx8 | MR25H256MDFR | 8-DFN sf | 3.3v | AEC-Q100 Grade 1 | 570 | 4000 | 256Kb | 32Kx8 | MR25H256MDCR | 8-DFN | 3.3v | AEC-Q100 Grade 1 | 570 | 4000 | 1Mb | 128Kx8 | MR25H10MDC | 8-DFN | 3.3V | AEC-Q100 Grade 1 | 570 | 4,000 | 256Kb | 32Kx8 | MR25H256MDC | 8-DFN | 3.3V | AEC-Q100 Grade 1 | 570 | 4,000 | 4Mb | 512Kx8 | MR25H40MDF | 8-DFN sf | 3.3V | AEC-Q100 Grade 1 | 570 | 4,000 | 1Mb | 128Kx8 | MR25H10MDF | 8-DFN sf | 3.3V | AEC-Q100 Grade 1 | 570 | 4,000 | 256Kb | 32Kx8 | MR25H256MDF | 8-DFN sf | 3.3V | AEC-Q100 Grade 1 | 570 | 4,000 | 256Kb | 32Kx8 | MR25H256AMDFR | 8-DFN sf | 3.3v | AEC-Q100 Grade 1 | 570 | 4000 | 256Kb | 32Kx8 | MR25H256AMDF | 8-DFN sf | 3.3v | AEC-Q100 Grade 1 | 570 | 4000 | 1Mb | 128Kx8 | MR25H10MDFR | 8-DFN sf | 3.3v | AEC-Q100 Grade 1 | 570 | 4000 | 1Mb | 128Kx8 | MR25H10MDCR | 8-DFN | 3.3v | AEC-Q100 Grade 1 | 570 | 4000 | 4Mb | 512Kx8 | MR25H40MDFR | 8-DFN sf | 3.3v | AEC-Q100 Grade 1 | 570 | 4000 | 128Kb | 16Kx8 | MR25H128AMDF | 8-DFN sf | 3.3v | AEC-Q100 Grade 1 | 570 | 4,000 | 128Kb | 16Kx8 | MR25H128AMDFR | 8-DFN sf | 3.3v | AEC-Q100 Grade 1 | 570 | 4,000 |
汽车应用Parellel MRAM
Density | Org. | Part Number | Pkg. | Voltage | Temp | MOQ(pcs) / Tray | MOQ(pcs)/ T&R | 4Mb | 256Kx16 | MR2A16AMYS35 | 44-TSOP2 | 3.3V | AEC-Q100 Grade 1 | 270 | 1,500 | 1Mb | 64Kx16 | MR0A16AMYS35 | 44-TSOP | 3.3V | AEC-Q100 Grade 1 | 270 | 1,500 | 4Mb | 512Kx8 | MR2A08AMYS35 | 44-TSOP | 3.3V | AEC-Q100 Grade 1 | 1,500 | 270 | 4Mb | 512Kx8 | MR2A08AMYS35R | 44-TSOP2 | 3.3v | AEC-Q100 Grade 1 | 1500 | 270 | 1Mb | 64Kx16 | MR0A16AMYS35R | 44-TSOP2 | 3.3v | AEC-Q100 Grade 1 | 270 | 1500 | 4Mb | 256Kx16 | MR2A16AMYS35R | 44-TSOP2 | 3.3v | AEC-Q100 Grade 1 | 270 | 1500 | 2Mb | 128Kx16 | MR1A16AMYS35 | 44-TSOP2 | 3.3v | AEC-Q100 Grade 1 | 270 | 1500 | 2Mb | 128Kx16 | MR1A16AMYS35R | 44-TSOP2 | 3.3v | AEC-Q100 Grade 1 | 270 | 1500 |
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